ZHCUBT0 February 2024
此测试的重点是验证 GaN 逆变器开关节点电压在 48V 且相电流较低和最大值条件下的瞬态响应。此测试的另一个目的是验证每个 LMG2100 GaN 电源模块上本地旁路电容器的容量。
C2000 MCU 已配置为使用具有 40kHz 开关频率和 16.6ns 死区的互补 PWM 生成三相空间矢量。每相的 PWM 占空比配置为使用 IB = IC = –0.5 IA 驱动相应的相电流 IA。
LMG2100 开关节点电压是在 LMG2100 SW 引脚(引脚 8)上以靠近 LMG2100 PGND 引脚(引脚 9)的 PGND 过孔为基准进行测量获得的,如图 4-7 所示。
以下各图显示了 PWM 输入在上下桥臂之间的死区时间为 16.6ns。