设计目标是实现一个能够在 12V 至 60V 直流输入电压（额定电压为 48V）下运行的三相 GaN 逆变器参考设计。具有宽输入电压范围的直流/直流转换器 LMR38010 生成 5V 电源轨来为 GaN-FET 电源模块和 3.3V 带隙基准供电，3.3V 电源模块为电流检测放大器、输入缓冲器和可选的 C2000 MCU LaunchPad 开发套件供电。

三个逆变器半桥均采用集成的 80V、10A GaN 半桥模块 (LMG2100R044) 来实现小尺寸和高效率。

1mΩ 相电流分流器和差分电流检测放大器 (INA241A)（增益为 50V/V，中点电压为 1.65V）由 3.3V 基准 (VREF3333) 进行设置，支持 ±33A 的满量程电流范围。热敏电阻 (TP61) 用于监测靠近 GaN 电源模块的 PCB 温度。

高侧直流链路电流检测比较器可实现基于硬件的短路保护，此外还会测量直流链路电压和相电压，并允许验证 InstaSPIN-FOC™ 等高级无传感器设计。

该设计提供与 TI BoosterPack 兼容的 3.3V I/O 接口，用于连接到 C2000™ MCU LaunchPad™ 开发套件或 Sitara™ 微控制器，以便快速轻松地评估我们 GaN 技术的表现。