对于易失性存储器，该 EVM 采用 8GB 的 Micron LPDDR4 存储器 (MT53E2G32D4DE-046)。32b 接口可支持高达 4000MT/s 的传输速率，提供快速的数据访问。虽然 EVM 设计不被视为参考，但 LPDDR4 设计部分（原理图和 PCB 设计）可被视为参考，客户在实现设计时必须遵循。

为了获得快速引导选项，EVM 采用了两种不同的串行闪存存储技术。Cypress (S28HS512TGABHM010) 提供 512Mb 八通道 xSPI 闪存，支持高达 166MB/s (SDR) 和 400MB/s (DDR) 的数据速率。Winbond (W35N01JWTBAG) 提供 1Gb 八通道 NAND 闪存，支持高达 166MB/s (SDR) 和 240MB/s (DDR) 的数据速率。这些存储设备共享同一个处理器接口，不能同时使用。有关如何选择每种器件的详细信息，请参阅节 2.4.2和节 2.7.4。

对于大容量存储选项，EVM 同样支持两个不同的存储器选项。可拆卸部件（节 2.5.5）支持数据速率高达 UHS-I (104MB/s) 的外部存储卡。对于板载存储，Micron (MTFC32GAZAQHD-IT) 提供 32Gb，支持高达 200MB/s (HS200) 和 400MB/s (HS400) 的数据速率。