ZHCUBV3
March 2024
1
说明
资源
特性
应用
6
1
系统说明
1.1
主要系统规格
2
系统概述
2.1
方框图
2.2
设计注意事项
2.3
主要米6体育平台手机版_好二三四
2.3.1
TMCS1123
2.3.2
ADS7043
2.3.3
AMC1035
2.3.4
REF2033
3
系统设计原理
3.1
霍尔效应电流传感器原理图设计
3.2
模数转换器
3.2.1
Δ-Σ 调制器
3.2.1.1
共模电压限制
3.2.1.2
输入滤波
3.2.1.3
用于连接 MCU 的接口
3.2.2
12 位 SAR ADC
3.2.2.1
共模电压限制
3.2.2.2
输入滤波
3.2.2.3
用于连接 MCU 的接口
3.3
电源和基准电压
4
硬件、软件、测试要求和测试结果
4.1
硬件要求
4.2
软件要求
4.3
测试设置
4.3.1
注意事项
4.4
测试结果
4.4.1
直流性能
4.4.1.1
模数转换后的输出电压噪声和 ENOB
4.4.1.2
线性度和温漂
4.4.2
交流性能
4.4.2.1
SNR 测量
4.4.2.2
延迟测试
4.4.3
PWM 抑制
4.4.4
过流响应
4.4.5
相邻电流抑制
4.4.6
电源抑制比
4.4.7
数字接口
5
与竞争对手器件的性能比较
5.1
有效位数
5.2
延迟
5.3
PWM 抑制
6
设计和文档支持
6.1
设计文件
6.1.1
原理图
6.1.2
BOM
6.1.3
PCB 布局建议
6.1.3.1
布局图
6.2
工具与软件
6.3
文档支持
6.4
支持资源
6.5
商标
7
作者简介
特性
高线性度、低寿命漂移、低噪声电流传感器可在 ±62A 的范围内通过调制器和 Sinc3 OSR 64 滤波器实现 9.7 有效位数 (ENOB)
具有 ±1300V 增强型隔离工作电压和集成型过流检测功能的精密霍尔效应电流传感器有助于降低系统成本
低导体电阻可更大限度减少功率损耗并降低散热要求
超低的模拟传播延迟 (0.6μs) 有助于实现更快的电流环路和直接扭矩控制
不到 100ns 的快速过流响应有助于提高系统可靠性,尤其是在与开关 GaN 和 SiC-FET 逆变器搭配使用时
高共模瞬态抗扰度可以抑制 PWM 开关噪声,再加上高外部磁场抑制,有助于提高系统精度和可靠性
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