为了生成高电流脉冲，我们使用了基于 GaN 的半桥电路 LMG3422EVM。测试设置的总体布局图如图 4-16 所示。

LMG3422EVM 具有两个 LMG3422 600V GaN 场效应晶体管 (FET)，在半桥配置中集成了驱动器和保护，具有所有必要的偏置电路和逻辑或电源电平转换。GaN 半桥产生了高压摆率输出电压脉冲，并使用了电流限制电阻器来设置输出电流的峰值。

图 4-16 过流响应测试设置

为了验证 OC 阈值，我们调整了直流母线电压，以将所需的峰值电流注入 TMCS1123。图 4-17 和图 4-18 中显示了相应结果。信号 V_OUT 是 TMCS1123 霍尔传感器的模拟输出电压。V_OC 是模拟输入，可将过流阈值设置为 37A。OC 是低电平有效的数字输出，该输出在检测到过流时变为低电平。当峰值电流为 36.8A 时，不触发 OC，当电流增加到 37.2A 时，将触发 OC，因此阈值约为 37A。

图 4-17 OC 阈值检查（峰值电流 = 36.8A）

图 4-18 OC 阈值检查（峰值电流 = 37.2A）

接下来，持续增大峰值电流并观察 OC 波形。在图 4-19 中，峰值电流为 37.2A，当电流达到 36.8A 时，将触发 OC。在图 4-20 中，峰值电流为 57.6A，当电流达到 37.2A 时，将触发 OC。电流上升期间，V_OC 略有下降，从 1.2V 降至 1.16V，这意味着理论阈值从 40A 降至 38.7A。实际阈值为 37A，在数据表中的阈值容差范围内。该测试表明 TMCS1123 的过流响应时间非常快，在电流达到阈值时会立即触发 OC。

图 4-19 OC 响应测试（峰值电流 = 37.2A）

图 4-20 OC 响应测试（峰值电流 = 57.6A）

观察发生 OC 事件后的 TMCS1123 输出电压行为，结果图 4-21 如所示。V_OUT 在发生 OC 事件后开始下降 68ns。

图 4-21 发生 OC 事件后的 V_OUT 恢复时间