ZHCUBW3 April 2024
设置使用用户提供的闪存数据和 ECC 数据进行 512 位(32 个 16 位字)编程的闪存状态机寄存器,并向有效的闪存和 OTP 存储器发出编程命令。
Fapi_StatusType Fapi_issueDataAndEcc512ProgrammingCommand(
uint32 *pu32StartAddress,
uint16 *pu16DataBuffer,
uint16 u16DataBufferSizeInWords,
uint16 *pu16EccBuffer,
uint16 u16EccBufferSizeInBytes
)
pu32StartAddress [in] | 用于对提供的数据和 ECC 进行编程的 512 位对齐闪存地址 |
pu16DataBuffer [in] | 指向数据缓冲区地址的指针。数据缓冲区的地址应为 512 位对齐。 |
u16DataBufferSizeInWords [in] | 数据缓冲区中 16 位字的数量。最大数据缓冲区大小(以字为单位)不应超过 32。 |
pu16EccBuffer [in] | 指向 ECC 缓冲区地址的指针 |
u16EccBufferSizeInBytes [in] | ECC 缓冲区中的 8 位字节数。最大 Eccbuffer 大小(以字为单位)不应超过 8 |
此函数在用户提供的 512 位对齐闪存地址处对用户提供的 512 位数据(第二个参数)和 8 字节的 ECC 数据(第四个参数)进行编程。所提供数据的地址必须在 512 位存储器边界上对齐,并且数据长度必须与提供的 ECC 相关联。这意味着,如果数据缓冲区长度为 32 个 16 位字,则 ECC 缓冲区必须为 8 个字节(1 个 ECC 字节对应于 64 位数据)。
pu16EccBuffer 的每个字节与 pu16DataBuffer 中提供的主阵列数据的每个 64 位相对应。有关详细信息,请参阅表 3-6。
Fapi_calculateEcc() 函数可用于计算给定 64 位对齐地址和相应数据的 ECC。
有关该函数允许的编程范围,请参阅下表 3-4。
闪存 API | 主阵列 | DCSM OTP | ECC | 链路指针 |
---|---|---|---|---|
Fapi_issueDataAndEcc512ProgrammingCommand() | 允许 | 允许 | 允许 | 不允许 |
如上所述,该函数一次最多只能对 512 位进行编程(鉴于提供的地址进行了 512 位对齐)。如果用户想对更多位进行编程,则应循环调用该函数,从而一次对 512 位进行编程。
主阵列闪存编程必须与 512 位地址边界对齐,并且 32 个 16 位字在每个写入或擦除周期只能编程一次。
以链路指针地址开头的 512 位地址范围应始终使用 128 位 Fapi_issueProgrammingCommand() 进行编程。
Fapi_Status_Success(成功)
Fapi_Status_FsmBusy(FSM 处于繁忙状态)
Fapi_Error_AsyncIncorrectDataBufferLength(失败:指定的数据缓冲区大小不正确。此外,如果在对闪存组 0 DCSM OTP 空间进行编程时选择了 Fapi_EccOnly 模式,则会返回该错误。
Fapi_Error_AsyncIncorrectEccBufferLength(失败:指定的 ECC 缓冲区大小不正确)
Fapi_Error_AsyncDataEccBufferLengthMismatch(失败:数据缓冲区大小不是 64 位对齐的,或者数据长度跨越了 128 位对齐的存储器边界)
Fapi_Error_FlashRegsNotWritable(失败:闪存寄存器写入失败。用户应确保 API 从与闪存操作的目标地址相同的区域执行,或者用户应在闪存操作之前解锁。)
Fapi_Error_FeatureNotAvailable(失败:用户传递了不受支持的模式)
Fapi_Error_InvalidAddress(失败:用户提供的地址无效。有关有效地址范围,请参阅 TMS320F28P65x 微控制器数据手册。)
(请参阅 C2000Ware 中提供的闪存编程示例,该示例位于“C2000Ware_.....\driverlib\F28P65x\examples\....\flash\flashapi_512bit_programming\flashapi_cpu1_512bitprogramming.c”)