TUSB2E221EVM 的布局应考虑以下注意事项：

• USB 2.0 信号的阻抗控制为 90Ω 差分 ±5%。
• eUSB2 信号的阻抗控制为 45Ω 单端 ±5%。
• USB 2.0 和 eUSB2 信号对使用匹配的布线长度，尽可能减少使用过孔。
• 所有其他信号的阻抗控制为 45Ω ± 10% 或 50Ω ± 10%。

下面提供了有关 PCB 的一般信息：

• 成品电路板厚度：0.062 ± 10% — 插座需要
• 覆铜重量：内部为 1oz 起步，外部为 1/2oz 起步
• 层压材料：FR4 Polyclad 370 或等效材料

TUSB2E221EVM 使用四层堆叠。

在电路板堆叠上钻孔实现小间距 BGA 分线的说明：

1. 1. L1–L2（激光钻孔）用于小间距 BGA 分线。
2. 2.L2–L3（机械钻孔）完成小间距 BGA 分线。
3. 3.L3–L4（激光钻孔）实现 VPP。

图 3-2 TUSB2E221EVM PCB 顶层

图 3-4 TUSB2E221EVM PCB 第 3 层（电源平面）

图 3-3 TUSB2E221EVM PCB 第 2 层（接地平面）

图 3-5 TUSB2E221EVM 第 4 层（底面）