MCF831x 的电源部分需要以下无源器件才能正常运行，如图 3-1 所示。

1. VM：大容量电容器（≥10µF、2x VM），可根据 PWM 开关频率、峰值相电流等减少输入电压纹波。此外，如果需要，可以选择添加一个 100nf、2x VM 电容器来滤除 VM 上的高频噪声。
2. 电荷泵：MCF831x 使用集成电荷泵为高侧 FET 产生栅极驱动。电荷泵需要两个电容器，一个电容器的额定值为（47nF、2x VM），位于 CPH 和 CPL 引脚之间，另一个电容器的额定值为（1µF、≥16V），位于 CP 和 VM 之间。
3. 降压转换器：降压转换器可在电感器模式（效率和成本更高）或电阻器模式（效率和成本更低）下运行。在 TIDA-010951 中，降压转换器设计为在电感器模式下运行，可为外部负载提供高达 170mA 的电流。电感器的额定值为 47µH，饱和电流为 1.5A，电容器的额定值为 22µF、10V。有关电阻器模式的更多信息，请参阅 MCF8315 数据表。
4. AVDD：此 3.3V LDO 需要一个额定值为 1µF、10V 的去耦电容器，可为外部负载提供高达 20mA 的电流。在额定 3.3V 调节电压的工作条件下，AVDD 的最小电容大于 600nF。
5. DVDD：此 1.5V LDO 需要一个额定值为 1µF、10V 的去耦电容器。在额定 1.5V 调节电压的工作条件下，DVDD 的最小电容大于 600nF。

图 3-1 MCF831x 电源部分