具体 V_GVDD 和 V_{GVDD_SL} 电压的选择结果可以定义导通状态 V_GS，即 FET 在应用中的实际栅极电压高电平。

该值可用于确定 FET 在给定电压下的 R_DS(ON)。定义 DRV8162L 的过流跳变电平时需要 R_DS(ON)。

综合这些考虑因素，所选 FET 的计算结果如表 2-1 所示。此设计采用两个并联此 FET 来实现低 R_DS(ON) 并支持高电流输出。该计算是利用欧姆定律完成的。

使用快速开关 FET 的情况下，在每个半桥上都选择了一个 RC 缓冲器网络，以根据需要提供测试和调试选项来抑制电路振铃。我们的测试用例不需要此步骤。