对于此设计，请遵循以下通用指南：

• 将去耦电容放置在靠近相关引脚的位置。
• 使用接地平面而不是接地布线，尽量减少接地平面中的切口，尤其是 ADS131M02 和 AMC131M03 附近的切口。在该设计中，A 相和 B 相 HGND（高压侧）的顶层和底层都有一个地平面；这种情况下，请通过充分使用过孔来确保平面之间良好拼接。
• 保持通往每个 ADC 通道输入端的两条布线对称，并且彼此尽可能靠近。
• 如果不执行功率偏移，则从电压通道到电流通道的串扰会降低较低电流下的精度。
• 对于 ADS131M02 和 AMC131M03 器件，应将 0.1μF 电容器放置在更靠近 AVDD 引脚的位置，而不是 1μF 电容器。对于连接到 DVDD 的 0.1μF 电容器和 1μF 电容器，同样如此。
• 尽量缩短用于将晶体连接到微控制器的布线的长度。围绕晶体引线放置保护环，并将晶体外壳接地。此外，晶体下方必须有干净的接地层，并且必须避免在晶体下方进行任何布线。此外，要使高频信号远离晶体。
• 在电源连接中使用宽布线。
• 对隔离式 RS-232 使用不同的接地层。这另一个接地层为 RS-232 的地电位，而不是电路板中其他位置使用的 GND。
• 确保 ISO6731 隔离器件满足建议的间隙和爬电间距。