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ZHCUC87 August 2024

3.2 预充电电路注意事项

为了控制启动时容性负载产生的过大浪涌电流，在低功耗路径的栅极驱动器 (G2) 上添加了一个 RC 电路。外部电容器 C9 (C_g) 可降低栅极导通压摆率并控制浪涌电流。

使用了方程式 3 和方程式 4 来设置预充电周期的 10ms 规格：

方程式 3.

C_{g} = \frac{C_{L o a d} \times I_{(G)}}{I_{I n r u s h}}

方程式 4.

I_{I n r u s h} = \frac{C_{L o a d} \times V_{B A T}}{T_{C h a r g e}}

其中

系统通过 MSPM0L1306-Q1 控制进入此预充电状态。启动时，在系统切换到工作状态之前，低功耗路径 FET 首先缓慢驱动 15ms。

注：尽管可以修改 C9 (C_g) 来改变预充电时间，但 MSPM0L1306-Q1 只能让系统保持在预充电模式 15ms。