按照以下说明评估 TPS1685EVM 的热性能:
- 将跳线 J6 位置配置为过流保护和有源电流共享所需的基准电压 (VIREF),如7 所述。本实验选择跳线 J6 的 3-4 位置,使 VIREF 为 1V(典型值)。
- 根据7 将跳线 J3 置于合适的位置,以设置所需的断路器阈值 (IOCP)。本实验选择跳线 J3 的 3-4 位置,这使得 IOCP 为 44A(典型值),VIREF 为 1V(典型值)。
- 将输入电源电压 VIN 设置为 54V,将电流限制设置为 50A。
- 在 VIN(连接器 T1)和 PGND(连接器 T3)之间连接电源并启用电源。
- 现在在 VOUT(连接器 T2)和 PGND(连接器 T3)之间施加 40A(直流)负载半小时或更长时间,以达到热平衡点。
- 使用数字万用表捕获 EVM 的热像图或监测 TEMP (TP8) 引脚的电压。TEMP (VTEMP) 引脚上的电压报告两个 TPS1685 电子保险丝之间的最高芯片温度,可使用方程式 1 获得。
方程式 1.
图 3-13 展示了 TPS1685EVM 的热性能,其中两个 TPS1685 电子保险丝并联。