ZHCUCD7 October 2024 LMG2640
LMG2640EVM-090 集成了一个 LMG2640 器件和两个 GaN FET，并采用半桥配置。所有的偏置和电平转换元件都包含在内，使低侧参考信号控制两个 FET。高频去耦电容器包含在优化布局中的功率级，以最小化寄生电感，并降低电压过冲。
电路板的布局对于器件的性能和功能至关重要。TI 建议采用四层或层数更多的电路板，以减少布局的寄生电感，从而实现出色的性能。LMG2640 集成 650V GaN 半桥数据表中提供了布局指南，以优化焊点可靠性、电源环路电感、信号到地的连接、开关节点电容和散热性能。
LMG2640EVM-090 上有一个 12 逻辑引脚接头，其中 8 个引脚用于有源逻辑，而另外 4 个引脚没有连接
| 引脚 | 引脚名称 | 说明 |
|---|---|---|
| LS PWM | 1 | 用于低侧 LMG2640 的逻辑门信号输入。兼容 3.3V 和 5V 逻辑。以 AGND 为参考。 |
| 故障 | 3.6 | LMG2640 的 FAULT 输出信号。以 AGND 为参考。 |
| HS PWM | 8 | 用于高侧 LMG2640 的逻辑门信号输入。兼容 3.3V 和 5V 逻辑。以 AGND 为参考。 |
| 12V | 9 | LMG2640EVM-090 的辅助电源输入。 |
| 5V | 10 | 适用于 FAULT 信号上拉电阻器和电路调试的 5V 辅助电源。 |
| AGND | 11.12 | 逻辑和偏置电源接地回路引脚。功能上与 PGND隔离。 |
LMG2640EVM-090 上有 6 个电源引脚。
| 引脚 | 说明 |
|---|---|
| SW | 半桥配置的开关节点。 |
| HV | 半桥配置的输入直流电压。 |
| PGND | 半桥配置的电源接地。功能上与 AGND隔离。 |
只要通电，评估模块上就会出现高压电平。使用 EVM 时请采取适当的预防措施。