图 2-7 LMG2100 功能方框图

LMG2100R026 器件是一款 93V 连续、100V 脉冲式 53A 半桥功率级，具有集成栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET（R_DS(on) 为 2.6mΩ）。

• 5V 外部辅助电源
• 零反向恢复
• 非常小的输入电容 C_ISS 和输出电容 C_OSS
• 内部自举电源电压钳位，可防止 GaN FET 过驱动
• 出色的传播延迟（典型值 33ns）和匹配（典型值 2ns）
• 外露式顶部 QFN 封装，实现顶面散热
• 封装经过优化，便于 PCB 布局
• 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm 无铅封装

该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。该器件的实用设计适合需要小尺寸、高频、高效运行的应用。

LMG2100R026 是一款半桥 GaN 功率级，具有高度集成的高侧和低侧栅极驱动器，包括内置 UVLO 保护电路和过压钳位电路。钳位电路会限制自举刷新操作，以确保高侧栅极驱动器过驱不超过 5.4V。该器件具有两个半桥配置的 2.6mΩ GaN FET。该器件可用于许多隔离和非隔离拓扑，从而实现非常简单的集成。为了更大限度地减少硬开关式降压转换器低侧 FET 的第三象限导通，可以独立控制 HI 和 LI 引脚。采用的封装旨在更大限度减小环路电感，同时保持 PCB 设计简单。为更大限度缩短与引脚之间的布线长度，TI 建议使用小尺寸 MLCC。为更大限度减少寄生电感，应将旁路电容器和自举电容器尽可能靠近器件放置。导通和关断的驱动强度经过了优化，可确保高压转换率，而不会在栅极或电源环路上造成任何过多的振铃。