集成式输入旁路电容器

如前所述，由于更高的开关节点振铃，较大的输入电源环路会导致在高频频带上产生更高的发射。在器件封装内集成高频输入去耦电容器有助于更大程度地降低输入环路寄生效应，从而降低 EMI。降压转换器 LMQ62440-Q1 中采用了该技术，如下一页上的图 20 所示。除了减小输入电源环路电感之外，输入高频电容器的封装集成还有助于使该解决方案不易受终端系统电路板布局布线变化的影响。

图 19 增强型 HotRod QFN 封装器件中的引脚排列和 PCB 布局布线。

由于开关节点振铃增加而导致的频带。在器件封装内集成高频输入去耦电容器有助于更大程度地降低输入环路寄生效应，从而降低 EMI。降压转换器 LMQ62440-Q1 中采用了该技术，如图 21 所示。除了减小输入电源环路电感之外，输入高频电容器的封装集成还有助于使该解决方案不易受终端系统电路板布局布线变化的影响。

图 20 HotRod 封装器件与 Enhanced HotRod 封装器件的 SW 节点 FFT 对比。

图 21 LMQ62440-Q1 器件中集成的两个高频输入旁路电容器。

图 22 比较了 LMQ62440-Q1 在集成和未集成旁路电容器情况下的辐射 EMI（在相同电路板、相同条件下）。结果表明，更严格的电视频带（200MHz 至 230MHz）中的发射降低了 9dB，这有助于系统保持在行业标准规定的 EMI 限制范围内，而无需在板上添加额外的元件。