ZHCY200 November   2023

1.   1
2.   概述
3.   内容概览
4.   为何选择高压？
5.   通过元件创新来优化宽带隙 FET 性能
6.   选择合适的栅极驱动器
7.   选择合适的控制器
8.   利用拓扑创新更大限度提高功率密度
9.   利用系统级创新实现超高效率目标
10.   应对 EMI 挑战
11.   结论
12.   其他资源

简化高压系统中的电源转换

本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。