通过元件创新来优化宽带隙 FET 性能

碳化硅 (SiC) MOSFET 或氮化镓 (GaN) FET 等宽带隙 FET 不仅可以替代硅 MOSFET，而且效率更高。在与硅 MOSFET 相同的电压电平下，宽带隙 FET 具有极低甚至没有反向恢复电荷 (Q_rr)，并具有较低的导通电阻，如图 1 所示。

图 1 理论导通电阻与阻断电压。

此外，宽带隙 FET 的几乎所有其他寄生效应（包括栅极电荷 (Q_g) 和输出电容 (C_oss) 都比硅 MOSFET 弱很多，因此开关速度很快：转换率超过 150V/ns，而超结硅 MOSFET 的转换率小于 80V/ns。开关速度越快，电源开关的开通或关断所需的时间就越短，开关损耗也更低。