在电机驱动器中使用 GaN 时的设计注意事项

设计人员通常必须考虑 dv/dt 对电机绝缘、轴承寿命、电磁干扰 (EMI) 和可靠性的影响。

DRV7308 包含一个集成前置驱动器压摆率控制电路，此电路控制相位节点上的 dv/dt。可以将压摆率设置控制在 5V/ns 以下，并在电机绕组绝缘和开关损耗优化之间权衡配置压摆率。DRV7308 的较低压摆率设置涵盖了现有 IGBT 提供的范围，而较高的压摆率有助于将开关损耗保持在低得多的值。

图 4 和图 5 展示了 DRV7308 在 1A 负载、300V、10V/ns 压摆率设置和 2m 电机电缆条件下的相位节点开关电压。具有较低寄生效应的 GaN FET 零反向恢复和前置驱动器压摆率控制有助于实现干净的电压开关波形。

图 4 使用 2m 电缆和风扇电机时的相节点电压上升压摆率。

图 5 使用 2m 电缆和风扇电机时的相节点电压下降压摆率。