ZHCY209 June   2024 DRV7308

 

  1.   1
  2.   概述
  3.   内容概览
  4.   GaN 如何提高逆变器效率
  5.   使用 GaN 电源开关提高电机性能
  6.   在电机驱动器中使用 GaN 时的设计注意事项
  7.   对系统效率的影响
  8.   对可闻噪声的影响
  9.   传导发射和辐射发射的注意事项
  10.   对解决方案尺寸的影响
  11.   具有保护功能的可靠系统设计
  12.   结语
  13.   其他资源

传导发射和辐射发射的注意事项

传导和辐射发射取决于开关频率、dv/dt、di/dt、开关电压振荡和反射以及开关电流环路面积。

DRV7308 整合了多种设计技术和印刷电路板 (PCB) 布局选项,以解决 EMI 和电磁兼容性问题:

  • PWM 开关频率。开关频率越高,对 EMI 频谱的影响越大。较高的开关频率有助于降低电流纹波和电容器要求,从而满足传导发射要求。DRV7308 提供宽范围开关频率,从极低值到高达 60kHz。设计人员可以根据系统性能和 EMI 要求选择合适的频率。
  • dv/dt。DRV7308 前置驱动器能够控制相位节点开关压摆率,以满足 EMI 要求。
  • di/dt。由于 GaN 具有零反向恢复和低寄生效应,可以提供更好的开关性能,而不会在开关期间在相位节点上产生电压过冲和振荡。图 4 和图 5 显示了 DRV7308 的干净开关,这意味着 EMI 更低。
  • 较小的开关电流环路面积。本地去耦电容器将在开关期间提供脉冲电流。DRV7308 的设计使得到直流电压去耦电容器 (CVM) 的开关电流环路面积非常小,如图 8 中所示。
 DRV7308 的典型布局参考(展示了较小的电流环路面积)。图 8 DRV7308 的典型布局参考(展示了较小的电流环路面积)。