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DRV411

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适用于闭环应用的霍尔效应磁传感器信号调理 IC

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Number of input channels 1 Features AFE for Magnetic Current Sensing Operating temperature range (°C) -40 to 125 Vs (min) (V) 2.7 Vs (max) (V) 5.5 Interface type Analog voltage Rating Catalog
Number of input channels 1 Features AFE for Magnetic Current Sensing Operating temperature range (°C) -40 to 125 Vs (min) (V) 2.7 Vs (max) (V) 5.5 Interface type Analog voltage Rating Catalog
HTSSOP (PWP) 20 41.6 mm² 6.5 x 6.4 VQFN (RGP) 20 16 mm² 4 x 4
  • 针对对称霍尔元件进行了优化
    （例如，AKM HW-322，HW-302，或相似元件）
  • 旋转电流霍尔传感器激发
    • 霍尔传感器偏移和漂移的消除
    • 1/f 噪声的消除
  • 扩展电流测量范围
    • H 桥驱动能力：250mA
  • 精密差分放大器：
    • 偏移和漂移：100µV（最大值），2µV/°C（最大值）
    • 系统带宽：200kHz
  • 精密基准：
    • 精度：0.2%（最大值）
    • 漂移：50ppm/°C（最大值）
    • 可针对 2.5V，1.65V 和比例模式选择引脚
  • 超限和错误标志
  • 电源：2.7V 至 5.5V
  • 封装：4mm x 4mm 四方扁平无引线封装 (QFN) 和薄型小尺寸封装 (TSSOP)-20 PowerPAD
  • 温度范围：-40°C 至 +125°C

应用范围

  • 闭环电流传感器模块
  • 直流和交流电流测量

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 针对对称霍尔元件进行了优化
    （例如，AKM HW-322，HW-302，或相似元件）
  • 旋转电流霍尔传感器激发
    • 霍尔传感器偏移和漂移的消除
    • 1/f 噪声的消除
  • 扩展电流测量范围
    • H 桥驱动能力：250mA
  • 精密差分放大器：
    • 偏移和漂移：100µV（最大值），2µV/°C（最大值）
    • 系统带宽：200kHz
  • 精密基准：
    • 精度：0.2%（最大值）
    • 漂移：50ppm/°C（最大值）
    • 可针对 2.5V，1.65V 和比例模式选择引脚
  • 超限和错误标志
  • 电源：2.7V 至 5.5V
  • 封装：4mm x 4mm 四方扁平无引线封装 (QFN) 和薄型小尺寸封装 (TSSOP)-20 PowerPAD
  • 温度范围：-40°C 至 +125°C

应用范围

  • 闭环电流传感器模块
  • 直流和交流电流测量

All trademarks are the property of their respective owners.

DRV411 被设计成针对闭环电流传感器模块内的使用来调节 InSb 霍尔元件。 DRV411 为霍尔元件提供精密激发电路，以有效消除霍尔元件的偏移和偏移-漂移。 这个器件还提供一个 250mA H 桥来驱动传感器补偿线圈，以及一个精密差分放大器来生成输出信号。 相对于传统单端驱动方法，H 桥 250mA 的驱动能力几乎将电流测量范围加倍。

霍尔传感器前端电路和差分放大器采用已获专利的偏移消除技术。 这些技术，与高精度电压基准一起，大大改进了整个电流传感器模块的精度。 可通过引脚选择输出电压以在由 5V 电源供电时支持一个 2.5V 输出，以及用于 3.3V 传感器的 1.65V 输出。

为了实现最佳散热，DRV411 采用具有 PowerPad 的耐热增强型 4mm x 4mm QFN 和 TSSOP-20 封装。 DRV411 可在 -40°C 至 +125°C 的完全扩展工业用温度范围内运行。

 

 

 

DRV411 被设计成针对闭环电流传感器模块内的使用来调节 InSb 霍尔元件。 DRV411 为霍尔元件提供精密激发电路，以有效消除霍尔元件的偏移和偏移-漂移。 这个器件还提供一个 250mA H 桥来驱动传感器补偿线圈，以及一个精密差分放大器来生成输出信号。 相对于传统单端驱动方法，H 桥 250mA 的驱动能力几乎将电流测量范围加倍。

霍尔传感器前端电路和差分放大器采用已获专利的偏移消除技术。 这些技术，与高精度电压基准一起，大大改进了整个电流传感器模块的精度。 可通过引脚选择输出电压以在由 5V 电源供电时支持一个 2.5V 输出，以及用于 3.3V 传感器的 1.65V 输出。

为了实现最佳散热，DRV411 采用具有 PowerPad 的耐热增强型 4mm x 4mm QFN 和 TSSOP-20 封装。 DRV411 可在 -40°C 至 +125°C 的完全扩展工业用温度范围内运行。

 

 

 

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 用于闭环磁流传感器的传感器信号调节集成电路(IC) 数据表 (Rev. A) 最新英语版本 (Rev.B) PDF | HTML 2013年 9月 27日
白皮书 Achieve greater precision, reliability with magnetic sensing technology 2017年 6月 26日
应用手册 Design Considerations for the DRV411 2015年 2月 26日
EVM 用户指南 DRV411EVM User's Guide (Rev. A) 2013年 11月 27日
应用手册 所选封装材料的热学和电学性质 2008年 10月 16日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

DRV411EVM — 针对闭环磁流传感器的传感器信号调节 IC 的评估模块

The DRV411EVM is an evaluation platform for the DRV411, a sensor signal conditioning integrated circuit for closed loop magnetic current sensors. The DRV411EVM allows evaluation of all aspects of the DRV411 device when connected to a user supplied hall sensor and coil. Complete schematics and a (...)

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
参考设计

TIPD184 — 采用双极电源的 100A 闭环电流传感器参考设计

此 TI 高精度验证设计提供了完整的 100 A 基于闭环霍尔的电流传感器解决方案（使用具有双极电源的 DRV411）。DRV411 以单个封装的形式提供霍尔激励、补偿线圈驱动器和高精度差分放大器。DRV411 采用的独特电流自旋技术几乎可以完全消除霍尔器件的偏移和 1/f 噪声。
用户指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIPD180 — 使用闭环补偿霍尔元件的 ±50A 电流传感器参考设计

此 TI 高精度验证设计提供了完整的基于闭环霍尔的电流传感器信号调节解决方案。  此电路包含 DRV411，可用于准确地测量 +/-50A 范围内的直流、交流和脉冲电流；初级和次级电路之间有电隔离。  DRV411 在单个封装中提供霍尔激励、补偿线圈驱动器和高精度差分放大器。  DRV411 采用的独特电流自旋技术几乎可以完全消除霍尔器件的偏移和 1/f 噪声，并在工业电机控制、能源和 HEV 等应用中实现准确的、电流隔离的高电流测量。
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
HTSSOP (PWP) 20 Ultra Librarian
VQFN (RGP) 20 Ultra Librarian
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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支持和培训

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