DRV8703D-Q1
- 符合面向汽车应用的 应用
- 器件温度等级 1：环境工作温度范围为 –40°C 至 +125°C
- 单通道 半桥栅极驱动器
- 驱动两个外部 N 沟道 MOSFET
- 支持 100% 脉宽调制 (PWM) 占空比
- 工作电源电压范围：5.5V 至 45V
- PWM 控制接口
- 用于配置的串行接口 (DRV8703D-Q1)
- 智能栅极驱动架构
- 可调压摆率控制
- 支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入
- 电流分流放大器
- 集成 PWM 电流调节功能
- 低功耗睡眠模式
- 保护 特性
- 电源欠压锁定 (UVLO)
- 电荷泵欠压 (CPUV) 锁定
- 过流保护 (OCP)
- 栅极驱动器故障 (GDF)
- 热关断 (TSD)
- 监视器计时器 (DRV8703D-Q1)
- 故障调节输出 (nFAULT)
DRV870xD-Q1 器件是一款小型半桥栅极驱动器，它使用两个外部 N 通道 MOSFET，旨在驱动单向刷式直流电机或电磁阀负载。
通过 PWM 接口，可轻松连接到控制器电路。内部传感放大器提供可调的电流控制。集成的电荷泵可提供 100% 占空比支持，而且可用于驱动外部反向电池开关。独立半桥模式支持半桥共享，能够以具有成本效益的方式顺序控制多个直流电机。这款栅极驱动器内置有相应的电路，能够使用关断时间固定的 PWM 电流斩波来调节绕组电流。
DRV870xD-Q1 器件采用了智能栅极驱动技术，因此无需任何外部栅极组件（电阻器和齐纳二极管），同时可为外部 FET 提供保护。智能栅极驱动架构可优化死区时间以避免出现任何击穿问题，在通过可编程压摆率控制技术降低电磁干扰 (EMI) 方面带来了灵活性，而且可防止任何栅极短路问题。此外，该架构中还包括主动和被动下拉特性，可防止任何 dv/dt 栅极导通。
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功能与比较器件相同，但引脚排列有所不同
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设计和开发
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评估板
DRV8703D-Q1EVM — DRV8703D-Q1 具有 SPI 的汽车级半桥有刷直流电机栅极驱动器评估模块
DRV8703D-Q1EVM（评估模块）作为一款评估套件，可用于演示 TI 的 DRV8703D-Q1 半桥栅极驱动器。MSP430G2553 用于控制占空比和电机方向，同时还监测 DRV8703D-Q1 报告的电机电流。使用 DRV8703D-Q1 汽车 H 桥栅极驱动器和 CSD18540Q5B N 通道 NexFET 功率 MOSFET 打造功率级。此 EVM 是一个高性能、受保护且具有成本效益的平台，可减少开发开销，加快上市速度。提供了用户友好型应用，可使用最少的外部设备快速实现 EVM 运行。
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| VQFN (RHB) | 32 | Ultra Librarian |
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