DRV8705-Q1
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准:
- 温度等级 1:–40°C 至 +125°C,TA
- 功能安全型
- 可提供用于功能安全系统设计的文档
- H 桥智能栅极驱动器
- 工作电压范围为 4.9V 至 37V(最大绝对值为 40V)
- 倍增电荷泵可实现 100% PWM
- 半桥和 H 桥控制模式
- 引脚对引脚栅极驱动器型号
- DRV8106-Q1:具有直列式放大器的半桥
- DRV8706-Q1:具有直列式放大器的 H 桥
- 智能栅极驱动架构
- 可调转换率控制
- 0.5mA 至 62mA 峰值拉电流输出
- 0.5mA 至 62mA 峰值灌电流输出
- 集成死区时间握手
- 低侧电流分流放大器
- 可调增益设置(10、20、40、80V/V)
- 集成反馈电阻
- 可调 PWM 消隐方案
- 提供多个接口选项
- SPI:详细配置和诊断
- H/W:简化的控制和更少的 MCU 引脚
- 展频时钟可降低 EMI
- 具有可润湿侧翼的紧凑型 VQFN 封装
- 集成型保护特性
- 专用驱动器禁用引脚 (DRVOFF)
- 电源和稳压器电压监测器
- MOSFET VDS 过流监视器
- MOSFET VGS 栅极故障监测器
- 用于反极性 MOSFET 的电荷泵
- 离线开路负载和短路诊断
- 器件热警告和热关断
- 故障条件中断引脚 (nFAULT)
DRV8705-Q1 是一款高度集成式 H 桥栅极驱动器,能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵(针对高侧)和线性稳压器(针对低侧)生成合适的栅极驱动电压。
该器件通过使用智能栅极驱动架构来降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器可优化死区时间以避免出现击穿问题,通过可调栅极驱动电流对减少电磁干扰 (EMI) 进行控制,而且可通过 VDS 和 VGS 监控器来防止漏源极和栅极短路问题。
低侧分流放大器支持电流检测,以便测量电机电流并向外部控制器提供反馈,从而实现电流限制或失速检测。
DRV8705-Q1 提供了一系列保护功能,可确保系统稳定运行。此类功能包括适用于电源和电荷泵的欠压和过压监控、适用于外部 MOSFET 的 VDS 过流和 VGS 栅极故障监控、离线开路负载和短路诊断,以及内部热警告和热关断保护功能。
技术文档
设计和开发
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DRV8705H-Q1EVM — 具有低侧电流检测放大器的汽车类 H 桥智能栅极驱动器 EVM
DRV8705H-Q1EVM 用于评估 DRV8705H-Q1,后者是一款符合汽车标准的集成式有刷直流电机驱动器。DRV8705H-Q1 是一款高度集成式 H 桥栅极驱动器,能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵(针对高侧)和线性稳压器(针对低侧)生成合适的栅极驱动电压。
该器件通过使用智能栅极驱动架构来降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器可优化死区时间以避免出现击穿问题,通过可调栅极驱动器电流对减少电磁干扰 (EMI)进行控制,而且可通过 VDS 和 VGS 监视器防止漏源电压和栅极短路问题。分流放大器具有低侧电流检测功能,可持续测量电机电流。
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DRV8705S-Q1EVM — 具有低侧电流检测放大器的汽车类 H 桥智能栅极驱动器 EVM
DRV8705S-Q1EVM 用于评估 DRV8705H-Q1,后者是一款符合汽车标准的集成式有刷直流电机驱动器。DRV8705S-Q1 是一款高度集成式 H 桥栅极驱动器,能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵(针对高侧)和线性稳压器(针对低侧)生成合适的栅极驱动电压。
该器件通过使用智能栅极驱动架构来降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器可优化死区时间以避免出现击穿问题,通过可调栅极驱动器电流对减少电磁干扰 (EMI)进行控制,而且可通过 VDS 和 VGS 监视器防止漏源电压和栅极短路问题。
分流放大器具有低侧电流检测功能,可持续测量电机电流。
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封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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VQFN (RHB) | 32 | Ultra Librarian |
订购和质量
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
- 制造厂地点
- 封装厂地点
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