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ISOS141-SEP

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采用航天增强型塑料的抗辐射、四通道、3/1 数字隔离器

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Rating Space Integrated isolated power No Isolation rating Basic Number of channels 4 Forward/reverse channels 3 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 5200 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 0.88 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.48 Creepage (min) (mm) 3.7 Clearance (min) (mm) 3.7
Rating Space Integrated isolated power No Isolation rating Basic Number of channels 4 Forward/reverse channels 3 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 5200 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 0.88 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.48 Creepage (min) (mm) 3.7 Clearance (min) (mm) 3.7
SSOP (DBQ) 16 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 抗辐射
    • 电离辐射总剂量 (TID) 特征值（无 ELDRS）= 30krad(Si)
    • TID RLAT/RHA = 30krad(Si)
    • 单粒子锁定 (SEL) 在 125°C 下对 LET 的抗扰度 = 43MeV⋅cm2/mg
    • 单粒子绝缘击穿 (SEDR) 在 500VDC 下的抗扰度 (43MeV⋅cm2/mg)
  • 增强型航天塑料（航天 EP）
    • 符合 NASA ASTM E595 释气规格要求
    • 供应商项目图 (VID) V62/21610
    • 军用级温度范围（-55°C 至 125°C）
    • 同一晶圆制造场所
    • 同一组装和测试场所
    • 金键合线，NiPdAu 铅涂层
    • 晶圆批次可追溯性
    • 延长了米6体育平台手机版_好二三四生命周期
    • 延长了米6体育平台手机版_好二三四变更通知周期
  • 600VRMS 连续工作电压
  • ：
    • DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • UL 1577 组件认证计划
  • 100 Mbps 数据速率
  • 宽电源电压范围：2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出低
  • 低功耗，1Mbps 时每通道的电流典型值为 1.5mA
  • 低传播延迟：典型值为 10.7ns（5V 电源供电时）
  • 通道间偏斜小：最大 4ns（5V 电源供电时）
  • CMTI 典型值为 ±100kV/µs
  • 系统级 ESD、EFT、浪涌和磁抗扰度

  • 小型 QSOP (DBQ-16) 封装
  • 抗辐射
    • 电离辐射总剂量 (TID) 特征值（无 ELDRS）= 30krad(Si)
    • TID RLAT/RHA = 30krad(Si)
    • 单粒子锁定 (SEL) 在 125°C 下对 LET 的抗扰度 = 43MeV⋅cm2/mg
    • 单粒子绝缘击穿 (SEDR) 在 500VDC 下的抗扰度 (43MeV⋅cm2/mg)
  • 增强型航天塑料（航天 EP）
    • 符合 NASA ASTM E595 释气规格要求
    • 供应商项目图 (VID) V62/21610
    • 军用级温度范围（-55°C 至 125°C）
    • 同一晶圆制造场所
    • 同一组装和测试场所
    • 金键合线，NiPdAu 铅涂层
    • 晶圆批次可追溯性
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  • 600VRMS 连续工作电压
  • ：
    • DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • UL 1577 组件认证计划
  • 100 Mbps 数据速率
  • 宽电源电压范围：2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出低
  • 低功耗，1Mbps 时每通道的电流典型值为 1.5mA
  • 低传播延迟：典型值为 10.7ns（5V 电源供电时）
  • 通道间偏斜小：最大 4ns（5V 电源供电时）
  • CMTI 典型值为 ±100kV/µs
  • 系统级 ESD、EFT、浪涌和磁抗扰度

  • 小型 QSOP (DBQ-16) 封装

ISOS141-SEP 抗辐射器件是采用小型 16 引脚 QSOP 封装的高性能四通道数字隔离器。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。该器件具有 100Mbps 的高数据速率、10.7ns 的低传播延迟和 4ns 的通道间严格偏移，支持近地轨道 (LEO) 航天应用。ISOS141-SEP 器件具有三个正向通道和一个反向通道，如果失去输入功率或信号，默认输出为低电平。使能引脚可用于将各输出置于高阻抗，适用于多主驱动应用，还可降低功耗。

ISOS141-SEP 在隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O 时，具有高电磁抗扰度和低辐射、低功耗特性。该器件具有 100kV/µs 的高共模瞬态抗扰度，可轻松缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题，还通过创新的芯片设计简化了辐射方面的合规性。

ISOS141-SEP 抗辐射器件是采用小型 16 引脚 QSOP 封装的高性能四通道数字隔离器。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。该器件具有 100Mbps 的高数据速率、10.7ns 的低传播延迟和 4ns 的通道间严格偏移，支持近地轨道 (LEO) 航天应用。ISOS141-SEP 器件具有三个正向通道和一个反向通道，如果失去输入功率或信号，默认输出为低电平。使能引脚可用于将各输出置于高阻抗，适用于多主驱动应用，还可降低功耗。

ISOS141-SEP 在隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O 时，具有高电磁抗扰度和低辐射、低功耗特性。该器件具有 100kV/µs 的高共模瞬态抗扰度，可轻松缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题，还通过创新的芯片设计简化了辐射方面的合规性。
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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 ISOS141-SEP 抗辐射高速四通道数字隔离器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2021年 3月 5日
* 辐射与可靠性报告 ISOS141-SEP Neutron Displacement Damage Characterization 2021年 3月 18日
* 辐射与可靠性报告 ISOS141-SEP Production Flow and Reliability Report 2021年 3月 18日
* 辐射与可靠性报告 ISOS141-SEP Quad-Channel Digital Isolator TID Report 2021年 3月 17日
* 辐射与可靠性报告 ISOS141-SEP Single-Event Latch-Up (SEL) Radiation Report 2021年 3月 17日
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应用手册 所选封装材料的热学和电学性质 2008年 10月 16日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

DIGI-ISO-EVM — 通用数字隔离器评估模块

DIGI-ISO-EVM 是一个评估模块 (EVM)，用于评估 TI 采用以下五种不同封装的任何单通道、双通道、三通道、四通道或六通道数字隔离器器件：8 引脚窄体 SOIC (D)、8 引脚宽体 SOIC (DWV)、16 引脚宽体 SOIC (DW)、16 引脚超宽体 SOIC (DWW) 和 16 引脚 QSOP (DBQ) 封装。此 EVM 具有足够的 Berg 引脚选项，支持使用超少的外部元件来评估相应器件。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
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仿真模型

ISOS141-SEP IBIS Model

SLLM498.ZIP (63 KB) - IBIS Model
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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支持和培训

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