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米6体育平台手机版_好二三四详情

Number of channels 4 Output type Open-collector, Open-drain Propagation delay time (µs) 1 Vs (max) (V) 36 Vs (min) (V) 2 Rating Catalog Iq per channel (typ) (mA) 0.1 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 3.5 Rail-to-rail In to V- Operating temperature range (°C) -40 to 125 Input bias current (±) (max) (nA) 25 VICR (max) (V) 34 VICR (min) (V) 0 TI functional safety category Functional Safety-Capable
Number of channels 4 Output type Open-collector, Open-drain Propagation delay time (µs) 1 Vs (max) (V) 36 Vs (min) (V) 2 Rating Catalog Iq per channel (typ) (mA) 0.1 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 3.5 Rail-to-rail In to V- Operating temperature range (°C) -40 to 125 Input bias current (±) (max) (nA) 25 VICR (max) (V) 34 VICR (min) (V) 0 TI functional safety category Functional Safety-Capable
SOIC (D) 14 51.9 mm² 8.65 x 6 TSSOP (PW) 14 32 mm² 5 x 6.4 WQFN (RTE) 16 9 mm² 3 x 3

  • 新增了 LM339B 和 LM2901B
  • 改进了 B 版本的规格
    • 最大额定值：高达 38V
    • ESD 等级 (HBM)：2kV
    • 低输入失调电压：0.37mV
    • 低输入偏置电流：3.5nA
    • 低电源电流：每个比较器 200µA
    • 更短的响应时间（1 微秒）
    • LM339B 的工作温度范围
  • B 版本可直接取代 LM239、LM339 和 LM2901 的 A 和 V 版本
  • 共模输入电压范围包括接地
  • 差分输入电压范围等于最大额定电源电压：±38V
  • 低输出饱和电压
  • 输出与 TTL、MOS 和 CMOS 兼容
  • 对于单通道版本，请参阅 TL331B
  • 对于双通道版本，请参阅 LM393B 或 LM2903B

  • 新增了 LM339B 和 LM2901B
  • 改进了 B 版本的规格
    • 最大额定值：高达 38V
    • ESD 等级 (HBM)：2kV
    • 低输入失调电压：0.37mV
    • 低输入偏置电流：3.5nA
    • 低电源电流：每个比较器 200µA
    • 更短的响应时间（1 微秒）
    • LM339B 的工作温度范围
  • B 版本可直接取代 LM239、LM339 和 LM2901 的 A 和 V 版本
  • 共模输入电压范围包括接地
  • 差分输入电压范围等于最大额定电源电压：±38V
  • 低输出饱和电压
  • 输出与 TTL、MOS 和 CMOS 兼容
  • 对于单通道版本，请参阅 TL331B
  • 对于双通道版本，请参阅 LM393B 或 LM2903B

LM339B 和 LM2901B 器件是业界通用 LM339 和 LM2901 比较器系列的下一代版本。下一代 B 版本比较器具有更低的失调电压、更高的电源电压能力、更低的电源电流、更低的输入偏置电流和更低的传播延迟，并通过专用 ESD 钳位提高了 2kV ESD 性能和输入耐用性。LM339B 和 LM2901B 可直接替代 LM239、LM339 和 LM2901（“A”和“V”版本）。

所有器件都包含四个独立的电压比较器，这些比较器可在宽电压范围内由单电源供电运行。

LM339B 和 LM2901B 器件是业界通用 LM339 和 LM2901 比较器系列的下一代版本。下一代 B 版本比较器具有更低的失调电压、更高的电源电压能力、更低的电源电流、更低的输入偏置电流和更低的传播延迟，并通过专用 ESD 钳位提高了 2kV ESD 性能和输入耐用性。LM339B 和 LM2901B 可直接替代 LM239、LM339 和 LM2901（“A”和“V”版本）。

所有器件都包含四个独立的电压比较器，这些比较器可在宽电压范围内由单电源供电运行。
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* 数据表 LM339B、LM2901B、LM339、LM239、LM139、LM2901 四路差分比较器 数据表 (Rev. X) PDF | HTML 英语版 (Rev.X) PDF | HTML 2023年 11月 1日
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功能安全信息 LM2901, LM2901B, LM2901V, LM2901AV FS, FIT Rate, Failure Mode and Pin FMA PDF | HTML 2020年 4月 8日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

AMP-PDK-EVM — 放大器高性能开发套件评估模块

放大器高性能开发套件 (PDK) 是一款用于测试常见运算放大器参数的评估模块 (EVM) 套件，与大多数运算放大器和比较器均兼容。该 EVM 套件提供了一个主板，主板上具有多个插槽式子卡选项以满足封装需求，使工程师能够快速评估和验证器件性能。

AMP-PDK-EVM 套件支持五种常用的业界通用封装，包括：

  • D (SOIC-8)
  • PW (TSSOP-14)
  • DGK (VSSOP-8)
  • DBV（SOT23-5 和 SOT23-6）
  • DCK（SC70-5 和 SC70-6）
用户指南: PDF | HTML
英语版 (Rev.A): PDF | HTML
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评估板

DIP-ADAPTER-EVM — DIP 适配器评估模块

借助 DIP-Adapter-EVM 加快运算放大器的原型设计和测试，该 EVM 有助于快速轻松地连接小型表面贴装 IC 并且价格低廉。您可以使用随附的 Samtec 端子板连接任何受支持的运算放大器，或者将这些端子板直接连接至现有电路。

DIP-Adapter-EVM 套件支持六种常用的业界通用封装，包括：

  • D 和 U (SOIC-8)
  • PW (TSSOP-8)
  • DGK（MSOP-8、VSSOP-8）
  • DBV（SOT23-6、SOT23-5 和 SOT23-3）
  • DCK（SC70-6 和 SC70-5）
  • DRL (SOT563-6)
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仿真模型

LM2901 and LM339 PSpice Model (Rev. C)

SLCJ010C.ZIP (45 KB) - PSpice Model
下载
仿真模型

LM2901 and LM339 TINA-TI Spice Model (Rev. B)

SLCM013B.ZIP (10 KB) - TINA-TI Spice Model
下载
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源米6体育平台手机版_好二三四系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短米6体育平台手机版_好二三四上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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模拟工具

TINA-TI — 基于 SPICE 的模拟仿真程序

TINA-TI 提供了 SPICE 所有的传统直流、瞬态和频域分析以及更多。TINA 具有广泛的后处理功能，允许您按照希望的方式设置结果的格式。虚拟仪器允许您选择输入波形、探针电路节点电压和波形。TINA 的原理图捕获非常直观 - 真正的“快速入门”。

TINA-TI 安装需要大约 500MB。直接安装，如果想卸载也很容易。我们相信您肯定会爱不释手。

TINA 是米6体育平台手机版_好二三四 (TI) 专有的 DesignSoft 米6体育平台手机版_好二三四。该免费版本具有完整的功能，但不支持完整版 TINA 所提供的某些其他功能。

如需获取可用 TINA-TI 模型的完整列表，请参阅：SpiceRack - 完整列表 

需要 HSpice (...)

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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (D) 14 Ultra Librarian
TSSOP (PW) 14 Ultra Librarian
WQFN (RTE) 16 Ultra Librarian
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包含信息：
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  • 引脚镀层/焊球材料
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  • 鉴定摘要
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包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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