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SN74CBTLV3857

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具有内部下拉电阻的 3.3V、1:1 (SPST)、10 通道 FET 总线开关

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Configuration 1:1 SPST Number of channels 10 Power supply voltage - single (V) 3.3 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 5 ON-state leakage current (max) (µA) 1000 Bandwidth (MHz) 200 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features Powered-off protection Input/output continuous current (max) (mA) 48 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (max) (V) 3.6
Configuration 1:1 SPST Number of channels 10 Power supply voltage - single (V) 3.3 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 5 ON-state leakage current (max) (µA) 1000 Bandwidth (MHz) 200 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features Powered-off protection Input/output continuous current (max) (mA) 48 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (max) (V) 3.6
SOIC (DW) 24 159.65 mm² 15.5 x 10.3
  • Enable Signal Is SSTL_2 Compatible
  • Flow-Through Architecture Optimizes PCB Layout
  • Designed for Use With 200 Mbit/s Double Data-Rate (DDR) SDRAM Applications
  • Switch On-State Resistance Is Designed to Eliminate Series Resistor to DDR SDRAM
  • Internal 10-k Pulldown Resistors to Ground on B Port
  • Internal 50-k Pullup Resistor on Output-Enable Input
  • Rail-to-Rail Switching on Data I/O Ports
  • Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II
  • Enable Signal Is SSTL_2 Compatible
  • Flow-Through Architecture Optimizes PCB Layout
  • Designed for Use With 200 Mbit/s Double Data-Rate (DDR) SDRAM Applications
  • Switch On-State Resistance Is Designed to Eliminate Series Resistor to DDR SDRAM
  • Internal 10-k Pulldown Resistors to Ground on B Port
  • Internal 50-k Pullup Resistor on Output-Enable Input
  • Rail-to-Rail Switching on Data I/O Ports
  • Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II

This 10-bit FET bus switch is designed for 3-V to 3.6-V VCC operation and SSTL_2 output-enable (OE\) input levels.

When OE\ is low, the 10-bit bus switch is on, and port A is connected to port B. When OE\ is high, the switch is open, and the high-impedance state exists between the two ports. There are 10-k pulldown resistors to ground on the B port.

The FET switch on-state resistance is designed to replace the series terminating resistor in the SSTL_2 data path.

This device is fully specified for partial-power-down applications using Ioff. The Ioff feature ensures that damaging current will not backflow through the device when it is powered down. The device has isolation during power off.

This 10-bit FET bus switch is designed for 3-V to 3.6-V VCC operation and SSTL_2 output-enable (OE\) input levels.

When OE\ is low, the 10-bit bus switch is on, and port A is connected to port B. When OE\ is high, the switch is open, and the high-impedance state exists between the two ports. There are 10-k pulldown resistors to ground on the B port.

The FET switch on-state resistance is designed to replace the series terminating resistor in the SSTL_2 data path.

This device is fully specified for partial-power-down applications using Ioff. The Ioff feature ensures that damaging current will not backflow through the device when it is powered down. The device has isolation during power off.
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用户指南 CBT (5-V) And CBTLV (3.3-V) Bus Switches Data Book (Rev. B) 1998年 12月 1日

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接口适配器

LEADED-ADAPTER1 — 用于快速测试 TI 5、8、10、16 和 24 引脚引线式封装的表面贴装转 DIP 接头适配器

EVM-LEADED1 板可对 TI 的常见引线式封装进行快速测试和电路板试验。该评估板具有足够的空间，可将 TI 的 D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV 和 PW 表面贴装封装转换为 100mil DIP 接头。     

用户指南: PDF
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