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Protocols DDR2 Configuration 4:1 Number of channels 11 Bandwidth (MHz) 400 Supply voltage (max) (V) 1.9 Supply voltage (min) (V) 1.7 Ron (typ) (mΩ) 10000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 1.9 Supply current (typ) (µA) 700 ESD HBM (typ) (kV) 2.5 Operating temperature range (°C) 0 to 85 ESD CDM (kV) 0.75 Input/output continuous current (max) (mA) 100 COFF (typ) (pF) 2.5 CON (typ) (pF) 4.6 OFF-state leakage current (max) (µA) 10 Propagation delay time (µs) 0.000297 Ron (max) (mΩ) 17000 RON flatness (typ) (Ω) 1.5 Turnoff time (disable) (max) (ns) 2.1 Turnon time (enable) (max) (ns) 2.1 VIH (min) (V) 1.1 VIL (max) (V) 0.66
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NFBGA (ZST) 72 49 mm² 7 x 7
  • 支持 SSTL_18 信号电平
  • 适用于 DDR-II 应用
  • D 端口输出由偏置电压 (VBIAS) 预充
  • 用于控制输入的内部终端
  • 高带宽(最低 400MHz)
  • 平缓的低导通电阻 (ron) 特性,(ron = 最大 17Ω)
  • 内部 400Ω 下拉电阻器
  • 低差分,上升沿或下降沿偏斜
  • 闩锁性能超过 100mA,符合 JESD 78 II 类规范
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  • 平缓的低导通电阻 (ron) 特性,(ron = 最大 17Ω)
  • 内部 400Ω 下拉电阻器
  • 低差分,上升沿或下降沿偏斜
  • 闩锁性能超过 100mA,符合 JESD 78 II 类规范

SN74CBTU4411 器件是一种具备低导通状态电阻 (ron) 的高带宽 SSTL_18 兼容型 FET 多路复用器/多路信号分离器。此器件借助内部电荷泵提高通道晶体管的栅极电压,提供平缓的低 ron。平缓的低 ron 可实现最短传播延迟,并且支持数据输入/输出 (I/O) 端口的轨到轨信号传输。该器件还具有非常低的数据 I/O 电容,以更大限度地减少数据总线上的容性负载和信号失真。通道间匹配的 ron 和 I/O 电容会产生极低的差分和上升沿/下降沿偏移。得益于此,该器件可在 DDR-II 应用中表现出卓越性能。

SN74CBTU4411 器件是一种具备低导通状态电阻 (ron) 的高带宽 SSTL_18 兼容型 FET 多路复用器/多路信号分离器。此器件借助内部电荷泵提高通道晶体管的栅极电压,提供平缓的低 ron。平缓的低 ron 可实现最短传播延迟,并且支持数据输入/输出 (I/O) 端口的轨到轨信号传输。该器件还具有非常低的数据 I/O 电容,以更大限度地减少数据总线上的容性负载和信号失真。通道间匹配的 ron 和 I/O 电容会产生极低的差分和上升沿/下降沿偏移。得益于此,该器件可在 DDR-II 应用中表现出卓越性能。

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设计和开发

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仿真模型

HSPICE Model for SN74CBTU4411

SCDJ034.ZIP (101 KB) - HSpice Model
仿真模型

SN74CBTU4411 IBIS Model

SCDM101.ZIP (75 KB) - IBIS Model
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
NFBGA (ZST) 72 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
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  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
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  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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