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Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 60 Vrwm (V) 6 Bi-/uni-directional Uni-Directional Number of channels 4 IO capacitance (typ) (pF) 35 IEC 61000-4-5 (A) 3 Interface type USB 2.0 Breakdown voltage (min) (V) 7 IO leakage current (max) (nA) 1000 Rating Catalog Operating temperature range (°C) 0 to 70
Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 60 Vrwm (V) 6 Bi-/uni-directional Uni-Directional Number of channels 4 IO capacitance (typ) (pF) 35 IEC 61000-4-5 (A) 3 Interface type USB 2.0 Breakdown voltage (min) (V) 7 IO leakage current (max) (nA) 1000 Rating Catalog Operating temperature range (°C) 0 to 70
PDIP (P) 8 92.5083 mm² 9.81 x 9.43 TSSOP (PW) 8 19.2 mm² 3 x 6.4
  • 旨在保护亚微米 3V 或 5V 电路免受 瞬态噪声的影响
  • 端口 ESD 保护功能超越了:
    • 15kV 人体放电模型
    • 2kV 机器模型
  • 采用 WCSP 芯片级封装
  • 关断电压:6V(最小值)
  • 低电流泄漏:6V 时的最大值为 1µA
  • 低电容:35pF(典型值)
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  • 端口 ESD 保护功能超越了:
    • 15kV 人体放电模型
    • 2kV 机器模型
  • 采用 WCSP 芯片级封装
  • 关断电压:6V(最小值)
  • 低电流泄漏:6V 时的最大值为 1µA
  • 低电容:35pF(典型值)

SN65220 器件为双路单向瞬态电压抑制器,SN65240 和 SN75240 器件为四路单向瞬态电压抑制器 (TVS)。这些器件为通用串行总线 (USB) 低速和全速端口提供电瞬态噪声保护。35pF 的输入电容使其不适合用于高速 USB 2.0 应用。

所有带线缆的 I/O 都容易遭受来自各种信号源的电瞬态噪声影响。这些瞬态噪声如果具有足够的幅度和持续时间,就有可能导致 USB 收发器或 USB ASIC 受到损坏。

SN65220、SN65240 和 SN75240 器件的 ESD 性能是在系统级别上根据 IEC61000-4-2 进行测量的;但是,系统设计会影响这些测试的结果。为了达到高符合性标准,需要周密的电路板设计和布局布线技术。

SN65220 器件为双路单向瞬态电压抑制器,SN65240 和 SN75240 器件为四路单向瞬态电压抑制器 (TVS)。这些器件为通用串行总线 (USB) 低速和全速端口提供电瞬态噪声保护。35pF 的输入电容使其不适合用于高速 USB 2.0 应用。

所有带线缆的 I/O 都容易遭受来自各种信号源的电瞬态噪声影响。这些瞬态噪声如果具有足够的幅度和持续时间,就有可能导致 USB 收发器或 USB ASIC 受到损坏。

SN65220、SN65240 和 SN75240 器件的 ESD 性能是在系统级别上根据 IEC61000-4-2 进行测量的;但是,系统设计会影响这些测试的结果。为了达到高符合性标准,需要周密的电路板设计和布局布线技术。

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* 数据表 SNx52x0 USB 端口瞬态抑制器 数据表 (Rev. J) PDF | HTML 英语版 (Rev.J) PDF | HTML 2022年 8月 4日

订购和质量

包含信息:
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  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
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包含信息:
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