TXS4558

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双 SIM 卡电源,配备电平转换器和专用双通道 LDO

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Technology family TXS Applications SIM Card Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
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WQFN (RUK) 20 9 mm² 3 x 3
  • 电平转换器
    • VCC的电压范围 1.65 V 至 3.3 V
    • VBATT的电压范围 2.3 V 至 5.5 V
  • 低压降 (LDO) 稳压器
    • 50-mA LDO 调节器具有可用的
    • 1.8-V 或者 2.95-V 可选输出电压
    • 超低压降: 在100 mV (最大值) 电压下 50 mA
  • 通过GPIO 接口与基带处理器实现控制和通信
  • 用于 SIM1 和 SIM2 卡的分离时钟停止模式
  • ESD 保护等级超过 JESD 22 标准的要求
    • 2000-V 人体模式 (A114-B)
    • 500-V 充电设备模式(C101)
    • 8kV HBM 用于 SIM 引脚
  • 封装
    • 20-引脚 QFN (3 mm x 3 mm)

  • 电平转换器
    • VCC的电压范围 1.65 V 至 3.3 V
    • VBATT的电压范围 2.3 V 至 5.5 V
  • 低压降 (LDO) 稳压器
    • 50-mA LDO 调节器具有可用的
    • 1.8-V 或者 2.95-V 可选输出电压
    • 超低压降: 在100 mV (最大值) 电压下 50 mA
  • 通过GPIO 接口与基带处理器实现控制和通信
  • 用于 SIM1 和 SIM2 卡的分离时钟停止模式
  • ESD 保护等级超过 JESD 22 标准的要求
    • 2000-V 人体模式 (A114-B)
    • 500-V 充电设备模式(C101)
    • 8kV HBM 用于 SIM 引脚
  • 封装
    • 20-引脚 QFN (3 mm x 3 mm)

TXS4558 是一款完整的双电源待机智能身份模块 (SIM) 卡解决方案,用于将无线基带处理器与两个单独的 SIM 用户卡相连,以存储移动手机应用程序的数据。 这是一款定制器件,用于把单个 SIM/UICC 接口扩展至能够支持两个 SIM/UICC (通用集成芯片卡)。

该器件不但符合 ISO / IEC 智能卡接口要求,而且还支持 GSM 与 3G 移动标准。 它包含能够支持 Class B (2.95 V) 与 Class C (1.8 V) 接口的高速电平转换器、低压降 (LDO) 稳压器,可在 2.95 V Class B 与 1.8 V Class C 接口之间选择输出电压。 简单GPIO输入用于在两个SIM卡之间进行交换并使其进入不同模式。 电压电平转换器具有两个电源电压引脚。 VCC 负责设定用于基带接口的基准,并可采用 1.65V 至 3.3V 的工作电压。 VSIM1 和 VSIM2 被设置为
1.8V 或 2.95V,各由一个独立的内部 LDO 稳压器供电。 集成型 LDO 可接受 2.3V 至 5.5V 的输入电池电压,并向B侧电路及外部 Class B 或 Class C SIM 卡输出高达 50mA 的电流。

此外,TXS4558 还根据 SIM 卡的 ISO 7816-3 规范为 SIM 卡引脚整合了关断定序功能。 该器件不但可为 SIM 引脚提供 8 kV HBM 保护,而且还可为所有其它引脚提供标准 2kV HBM 保护。

TXS4558 是一款完整的双电源待机智能身份模块 (SIM) 卡解决方案,用于将无线基带处理器与两个单独的 SIM 用户卡相连,以存储移动手机应用程序的数据。 这是一款定制器件,用于把单个 SIM/UICC 接口扩展至能够支持两个 SIM/UICC (通用集成芯片卡)。

该器件不但符合 ISO / IEC 智能卡接口要求,而且还支持 GSM 与 3G 移动标准。 它包含能够支持 Class B (2.95 V) 与 Class C (1.8 V) 接口的高速电平转换器、低压降 (LDO) 稳压器,可在 2.95 V Class B 与 1.8 V Class C 接口之间选择输出电压。 简单GPIO输入用于在两个SIM卡之间进行交换并使其进入不同模式。 电压电平转换器具有两个电源电压引脚。 VCC 负责设定用于基带接口的基准,并可采用 1.65V 至 3.3V 的工作电压。 VSIM1 和 VSIM2 被设置为
1.8V 或 2.95V,各由一个独立的内部 LDO 稳压器供电。 集成型 LDO 可接受 2.3V 至 5.5V 的输入电池电压,并向B侧电路及外部 Class B 或 Class C SIM 卡输出高达 50mA 的电流。

此外,TXS4558 还根据 SIM 卡的 ISO 7816-3 规范为 SIM 卡引脚整合了关断定序功能。 该器件不但可为 SIM 引脚提供 8 kV HBM 保护,而且还可为所有其它引脚提供标准 2kV HBM 保护。

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用户指南 TXS4558EVM 2011年 9月 22日

设计和开发

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评估板

TXS4558EVM — TXS4558 评估模块

米6体育平台手机版_好二三四 (TI) 的 TXS4558 评估模块 (EVM) 旨在展示 TXS4558 的功能,其为一款完整双电源标准智能识别模块 (SIM) 卡解决方案,用于连接具有两个独立 SIM 用户卡的无线基带处理器,可存储移动手持终端应用的数据。该器件面向 GPIO 控制和通信,GPIO 信号用于 SIM 和 SIM 模式之间的开关,实现单接口支持两个 SIM。

该 EVM 包含两个 SIM 卡插槽,以及连接所有器件信号的测试点。跳线、连接器和测试点均用器件信号名称标记。

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

TXS4558 IBIS Model

SLLM155.ZIP (48 KB) - IBIS Model
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
WQFN (RUK) 20 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

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