ZHCSCP5A July 2014 – May 2017 CSD16570Q5B
PRODUCTION DATA.
1 特性
- 极低电阻
- 低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- SON 5mm × 6mm 塑料封装
2 应用范围
- ORing 和热插拔 应用
3 说明
这款 25V，0.49mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地减小 ORing 和热拔插应用的 电阻， 不适用于开关 应用。
顶部图标
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米6体育平台手机版_好二三四概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 25 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 95 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 31 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V | 0.68 | mΩ |
| VGS = 10V | 0.49 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 1.5 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 数量 | 介质 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD16570Q5B | 2500 | 13 英寸卷带 | SON 5mm x 6mm 塑料封装 | 卷带封装 |
| CSD16570Q5BT | 250 | 7 英寸卷带 |
- 要了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 25 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| ID | 持续漏极电流（受封装限制） | 100 | A |
| 持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 | 456 | ||
| 持续漏极电流(1) | 59 | ||
| IDM | 脉冲漏极电流(2) | 400 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 3.2 | W |
| 功率耗散，TC = 25°C | 195 | ||
| TJ， Tstg |
运行结温和 储存温度范围 |
-55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单一脉冲 ID = 98A，L = 0.1mH，RG = 25Ω |
480 | mJ |
- RθJA= 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸的环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司的铜焊盘上测得的典型值
。 - 最大 RθJC = 0.8°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
RDS(on) 与 VGS 对比 |
栅极电荷 |