2 应用
- 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
- 优化后可适用于控制场效应晶体管 (FET) 应用
3 说明
这款 30V、7.8mΩ、3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换应用中的 损耗。
顶视图
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米6体育平台手机版_好二三四概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 30 | V | |
| Qg | 总栅极电荷 (4.5V) | 6.0 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 1.5 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V | 9.6 | mΩ |
| VGS = 10V | 7.8 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 1.6 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 数量 | 包装介质 | 封装 | 发货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD17551Q3A | 2500 | 13 英寸卷带 | 小外形尺寸无引线 (SON)
3.3mm × 3.3mm 塑料封装 |
卷带封装 |
| CSD17551Q3AT | 250 | 7 英寸卷带 |
- 如需了解所有可用封装，请参阅米6体育平台手机版_好二三四说明书末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C 时测得，除非另外注明 | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 30 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| ID | 持续漏极电流，TC=25°C 时 | 48 | A |
| 持续漏极电流（受芯片限制） | 48 | A | |
| 持续漏极电流，TA=25°C 时测得(1) | 12 | A | |
| IDM | 脉冲漏极电流，TA = 25°C 时测得(2) | 71 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 2.6 | W |
| TJ，Tstg | 工作结温、
储存温度 |
–55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单一脉冲
ID=25A，L=0.1mH，RG=25Ω 时 |
31 | mJ |
- RθJA = 48°C/W，这是在一块厚度为 0.06 英寸 (1.52 mm) 的 FR4 PCB 上的 1 平方英寸 (6.45cm2)，
2 盎司覆铜焊盘上测得的典型值。 - 脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%