ZHCSBT4A October 2013 – January 2015 CSD17571Q2
PRODUCTION DATA.
1 特性
- 低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装
2 应用范围
- 针对负载开关应用进行了优化
- 存储、平板电脑和手持设备
- 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化
3 说明
这款 30V、20mΩ、SON 2mm × 2mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在以最大程度降低功率转换和负载管理应用中的损耗，同时提供出色的封装散热性能。
顶视图
米6体育平台手机版_好二三四概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 30 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 2.4 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 0.6 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V | 24 | mΩ |
| VGS = 10V | 20 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 1.6 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 介质 | 数量 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD17571Q2 | 7 英寸卷带 | 3000 | SON 2mm x 2mm 塑料封装 | 卷带封装 |
- 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 30 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| ID | 持续漏极电流（受封装限制） | 22 | A |
| 持续漏极电流(1) | 7.6 | A | |
| IDM | 脉冲漏极电流，TA = 25°C 时测得(2) | 39 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 2.5 | W |
| TJ， Tstg |
运行结温和 储存温度范围 |
-55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单一脉冲 ID = 12A，L = 0.1mH，RG = 25Ω |
7.2 | mJ |
- RθJA = 50，这是在厚度为 0.060" 的环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上 1 in²（2 盎司）铜焊盘上测得的典型值
- 脉冲持续时间 10μs，占空比 ≤ 2%
RDS(on) 与 VGS 间的关系 |
栅极电荷 |