CSD17576Q5B 30V N 通道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)

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1 特性

低 Q_g 和 Q_gd
低 R_DS(on)
低热阻
雪崩级
无铅引脚镀层
符合 RoHS 标准
无卤素
SON 5mm × 6mm 塑料封装

2 应用范围

用于网络互联、电信和计算系统的负载点同步降压转换器
已针对同步 FET 应用进行优化

3 说明

这款 30V、1.7mΩ、SON 5 x 6mm NexFET™功率 MOSFET 的设计旨在追求以最大限度降低功率转换应用中的功率损耗。

顶视图

米6体育平台手机版_好二三四概要

T_A = 25°C		典型值		单位
V_DS	漏源电压	30		V
Q_g	栅极电荷总量 (4.5V)	25		nC
Q_gd	栅极电荷（栅极到漏极）	5.4		nC
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS = 4.5V	2.4	mΩ
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS = 10V	1.7	mΩ
V_GS(th)	阈值电压	1.4		V

订购信息⁽¹⁾

器件	数量	介质	封装	出货
CSD17576Q5B	2500	13 英寸卷带	SON 5mm x 6mm 塑料封装	卷带封装
CSD17576Q5BT	250	7 英寸卷带	SON 5mm x 6mm 塑料封装	卷带封装

要了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。

绝对最大额定值

T_A = 25°C		值	单位
V_DS	漏源电压	30	V
V_GS	栅源电压	±20	V
I_D	持续漏极电流（受封装限制）	100	A
	持续漏极电流（受芯片限制），T_C = 25°C 时测得	184
	持续漏极电流⁽¹⁾	30
I_DM	脉冲漏极电流，T_A = 25°C 时测得⁽²⁾	400	A
P_D	功率耗散⁽¹⁾	3.1	W
P_D	功率耗散，T_C = 25°C	125	W
T_J，T_stg	运行结温和储存温度范围	-55 至 150	°C
E_AS	雪崩能量，单脉冲 I_D = 48，L = 0.1mH，R_G = 25Ω	115	mJ

R_θJA = 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸²，2 盎司的铜过渡垫片上测得的典型值。
最大 R_θJC = 1.3°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。

R_DS(on) 与 V_GS 对比

栅极电荷

CSD17576Q5B graph04_Frontpage_SLPS497.png

4 修订历史记录

Changes from * Revision (June 2014) to A Revision

Added “接收文档更新通知”和“社区资源”部分添加到了“器件和文档支持”。Go
Changed 将建议 PCB 布局 部分方框图中Go

5 Specifications

5.1 Electrical Characteristics

(T_A = 25°C unless otherwise stated)

PARAMETER		TEST CONDITIONS	MIN	TYP	MAX	UNIT
STATIC CHARACTERISTICS
BV_DSS	Drain to Source Voltage	V_GS = 0 V, I_D = 250 μA	30			V
I_DSS	Drain to Source Leakage Current	V_GS = 0 V, V_DS = 24 V			1	μA
I_GSS	Gate to Source Leakage Current	V_DS = 0 V, V_GS = 20 V			100	nA
V_GS(th)	Gate to Source Threshold Voltage	V_DS = V_GS, I_D = 250 μA	1.1	1.4	1.8	V
R_DS(on)	Drain to Source On Resistance	V_GS = 4.5 V, I_D = 25 A		2.4	2.9	mΩ
R_DS(on)	Drain to Source On Resistance	V_GS = 10 V, I_D = 25 A		1.7	2.0	mΩ
g_fs	Transconductance	V_DS = 3 V, I_D = 25 A		120		S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
C_iss	Input Capacitance	V_GS = 0V, V_DS = 15 V, ƒ = 1 MHz		3410	4430	pF
C_oss	Output Capacitance			389	506	pF
C_rss	Reverse Transfer Capacitance			151	196	pF
R_G	Series Gate Resistance			1.0	2.0	Ω
Q_g	Gate Charge Total (4.5 V)	V_DS = 15 V, I_D = 25 A		25	32	nC
Q_g	Gate Charge Total (10 V)			53	68	nC
Q_gd	Gate Charge Gate to Drain			5.4		nC
Q_gs	Gate Charge Gate to Source			8.9		nC
Q_g(th)	Gate Charge at Vth			4.7		nC
Q_oss	Output Charge	V_DS = 30 V, V_GS = 0 V		12.3		nC
t_d(on)	Turn On Delay Time	V_DS = 15 V, V_GS = 10 V, I_DS = 25 A, R_G = 0 Ω		5		ns
t_r	Rise Time			16		ns
t_d(off)	Turn Off Delay Time			23		ns
t_f	Fall Time			3		ns
DIODE CHARACTERISTICS
V_SD	Diode Forward Voltage	I_SD = 25 A, V_GS = 0V		0.8	1	V
Q_rr	Reverse Recovery Charge	V_DS= 15 V, I_F = 25 A, di/dt = 300 A/μs		14.7		nC
t_rr	Reverse Recovery Time	V_DS= 15 V, I_F = 25 A, di/dt = 300 A/μs		14		ns

5.2 Thermal Information

(T_A = 25°C unless otherwise stated)

THERMAL METRIC		MIN	TYP	MAX	UNIT
R_θJC	Junction-to-Case Thermal Resistance ⁽¹⁾			1.3	°C/W
R_θJA	Junction-to-Ambient Thermal Resistance ⁽¹⁾⁽²⁾			50	°C/W

(1) R_θJC is determined with the device mounted on a 1-inch² (6.45-cm²), 2-oz. (0.071-mm thick) Cu pad on a 1.5-inches × 1.5-inches (3.81-cm × 3.81-cm), 0.06-inch (1.52-mm) thick FR4 PCB. R_θJC is specified by design, whereas R_θJA is determined by the user’s board design.

(2) Device mounted on FR4 material with 1-inch² (6.45-cm²), 2-oz. (0.071-mm thick) Cu.