ZHCSCT3A September 2014 – January 2016 CSD17579Q3A
PRODUCTION DATA.
这款 30V,8.7mΩ,SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的 损耗提供了灵活性和便利性。
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TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
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VDS | 漏源电压 | 30 | V | |
Qg | 总栅极电荷 (4.5V) | 5.3 | nC | |
Qgd | 栅极电荷(栅极到漏极) | 1.2 | nC | |
RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V | 11.8 | mΩ |
VGS = 10V | 8.7 | mΩ | ||
VGS(th) | 阈值电压 | 1.5 | V |
器件 | 包装介质 | 数量 | 封装 | 发货 |
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CSD17579Q3A | 13 英寸卷带 | 2500 | SON 3.3mm x 3.3mm 塑料封装 |
卷带封装 |
CSD17579Q3AT | 7 英寸卷带 | 250 |
TA = 25°C | 值 | 单位 | |
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VDS | 漏源电压 | 30 | V |
VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
ID | 持续漏极电流(受封装限制) | 20 | A |
持续漏极电流(受芯片限制),TC = 25°C 时测得 | 39 | ||
持续漏极电流(1) | 11 | ||
IDM | 脉冲漏极电流(2) | 106 | A |
PD | 功率耗散(1) | 2.5 | W |
功率耗散,TC = 25°C | 29 | ||
TJ, Tstg |
工作结温, 储存温度 |
–55 至 150 | °C |
EAS | 雪崩能量,单一脉冲 ID = 17A,L = 0.1mH,RG = 25Ω |
14 | mJ |
RDS(on) 与 VGS 对比 |
栅极电荷 |