ZHCSG53 March 2017 CSD18510Q5B
PRODUCTION DATA.
这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 40V、0.79mΩ、 NexFET™功率 MOSFET 的设计旨在追求以最大限度降低功率转换应用中的功率 损耗。
TA=25°C | 典型值 | 单位 | ||
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VDS | 漏源电压 | 40 | V | |
Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 118 | nC | |
Qgd | 栅极电荷(栅极到漏极) | 21 | nC | |
RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V | 1.2 | mΩ |
VGS = 10V | 0.79 | |||
VGS(th) | 阈值电压 | 1.7 | V |
器件 | 数量 | 包装介质 | 封装 | 运输 |
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CSD18510Q5B | 2500 | 13 英寸卷带 |
5.00mm × 6.00mm SON 塑料封装 |
卷带封装 |
CSD18510Q5BT | 250 | 7 英寸卷带 |
TA = 25°C | 值 | 单位 | |
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VDS | 漏源电压 | 40 | V |
VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
ID | 持续漏极电流(受封装限制) | 100 | A |
持续漏极电流(受芯片限制),TC = 25°C 时测得 | 300 | ||
持续漏极电流(1) | 42 | ||
IDM | 脉冲漏极电流,TA = 25°C 时测得(2) | 400 | A |
PD | 功率耗散(1) | 3.1 | W |
功率耗散,TC = 25°C | 156 | ||
TJ, Tstg |
工作结温, 储存温度 |
-55 至 150 | °C |
EAS | 雪崩能量,单一脉冲 ID = 81,L = 0.1mH,RG = 25Ω |
328 | mJ |
RDS(on) 与 VGS 间的关系 |
栅极电荷 |