ZHCSG53 March   2017 CSD18510Q5B

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 接收文档更新通知
    2. 6.2 社区资源
    3. 6.3 商标
    4. 6.4 静电放电警告
    5. 6.5 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 Q5B 封装尺寸
    2. 7.2 建议 PCB 布局
    3. 7.3 建议模板布局
    4. 7.4 Q5B 卷带信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

特性

  • 低 RDS(ON)
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 直流 - 直流转换
  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

说明

这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 40V、0.79mΩ、 NexFET™功率 MOSFET 的设计旨在追求以最大限度降低功率转换应用中的功率 损耗。

俯视图
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米6体育平台手机版_好二三四概要

TA=25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 40 V
Qg 栅极电荷总量 (10V) 118 nC
Qgd 栅极电荷(栅极到漏极) 21 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 4.5V 1.2
VGS = 10V 0.79
VGS(th) 阈值电压 1.7 V

器件信息(1)

器件 数量 包装介质 封装 运输
CSD18510Q5B 2500 13 英寸卷带
5.00mm × 6.00mm
SON 塑料封装
卷带封装
CSD18510Q5BT 250 7 英寸卷带
  1. 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 单位
VDS 漏源电压 40 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID 持续漏极电流(受封装限制) 100 A
持续漏极电流(受芯片限制),TC = 25°C 时测得 300
持续漏极电流(1) 42
IDM 脉冲漏极电流,TA = 25°C 时测得(2) 400 A
PD 功率耗散(1) 3.1 W
功率耗散,TC = 25°C 156
TJ
Tstg
工作结温,
储存温度
-55 至 150 °C
EAS 雪崩能量,单一脉冲
ID = 81,L = 0.1mH,RG = 25Ω
328 mJ
  1. RθJA = 40°C/W,这是在一块厚度为 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司铜焊盘上测得的典型值。
  2. 最大 RθJC = 0.8°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%。

RDS(on) 与 VGS 间的关系

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栅极电荷

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