ZHCSBW5B December 2013 – May 2017 CSD19502Q5B
PRODUCTION DATA.
1 特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 逻辑电平
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- SON 5mm × 6mm 塑料封装
2 应用范围
- 次级侧同步整流器
- 电机控制
3 说明
这款 3.4mΩ，80V，SON 5mm x 6mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
顶视图
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米6体育平台手机版_好二三四概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 80 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 48 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷 栅极到漏极 | 8.6 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS= 6V | 3.8 | mΩ |
| VGS = 10V | 3.4 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 2.7 | V | |
.
订购信息(1)
| 器件 | 介质 | 数量 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD19502Q5B | 13 英寸卷带 | 2500 | SON 5mm x 6mm 塑料封装 |
卷带封装 |
| CSD19502Q5BT | 13 英寸卷带 | 250 |
- 要了解所有可用封装，请参见数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 80 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| ID | 持续漏极电流（受封装限制） | 100 | A |
| 持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 | 157 | ||
| 持续漏极电流(1) | 17 | ||
| IDM | 脉冲漏极电流(2) | 400 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 3.1 | W |
| 功率耗散，TC = 25°C | 195 | ||
| TJ， Tstg |
运行结温和 储存温度范围 |
-55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单脉冲 ID = 74A，L = 0.1mH，RG = 25Ω |
274 | mJ |
- RθJA = 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司的铜过渡垫片上测得的典型值。
- 最大 RθJC = 0.8°C/W，脉冲持续时间 ≤100µs，占空比 ≤1%
RDS(on) 与 VGS 对比 |
栅极电荷 |