ZHCSES4 March 2016 CSD19506KTT
PRODUCTION DATA.
1 特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- D2PAK 塑料封装
2 应用
- 次级侧同步整流器
- 电机控制
3 说明
这款 80V、2.0mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
空白
米6体育平台手机版_好二三四概要
| TA=25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 80 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 120 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷 栅极到漏极 | 20 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 6V | 2.2 | mΩ |
| VGS = 10V | 2.0 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 2.5 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 数量 | 包装介质 | 封装 | 运输 |
|---|---|---|---|---|
| CSD19506KTT | 500 | 13 英寸卷带 | D2PAK 塑料封装 | 卷带封装 |
| CSD19506KTTT | 50 |
- 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 80 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| ID | 持续漏极电流（受封装限制） | 200 | A |
| 持续漏极电流（受芯片限制），TC=25°C 时测得 | 291 | ||
| 持续漏极电流（受芯片限制），TC = 100°C 时测得 | 206 | ||
| IDM | 脉冲漏极电流 (1) | 400 | A |
| PD | 功率耗散 | 375 | W |
| TJ， Tstg |
运行结温和 储存温度范围 |
-55 至 175 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单脉冲 ID = 129A，L = 0.1mH，RG = 25Ω |
832 | mJ |
- 最大 RθJC = 0.4°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
RDS(on) 与 VGS 间的关系 |
栅极电荷 |