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CSD19537Q3 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
ZHCSE28B
August 2015 – November 2022
CSD19537Q3
PRODUCTION DATA
CONTENTS
SEARCH
CSD19537Q3 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
1
特性
2
应用
3
说明
4
Revision History
5
Specifications
5.1
Electrical Characteristics
5.2
Thermal Information
5.3
Typical MOSFET Characteristics
6
Device and Documentation Support
6.1
Community Resources
6.2
Trademarks
6.3
Electrostatic Discharge Caution
6.4
术语表
7
Mechanical, Packaging, and Orderable Information
7.1
Q3 Package Dimensions
7.2
Recommended PCB Pattern
7.3
Recommended Stencil Opening
7.4
Q3 Tape and Reel Information
重要声明
封装选项
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
机械数据 (封装 | 引脚)
DQG|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
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DATA SHEET
CSD19537Q3 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。
1
特性
超低 Q
g
和 Q
gd
低热阻
雪崩级
无铅端子镀层
符合 RoHS
无卤素
小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
2
应用
一次侧隔离式转换器
电机控制
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