ZHCSD48A December 2014 – August 2016 CSD23203W
PRODUCTION DATA.
这款 –8V、16.2mΩ、P 通道器件经过设计,能够以具有出色散热特性的 1 × 1.5 mm 超薄小外形封装提供最低的导通电阻和栅极电荷。
TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
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VDS | 漏源电压 | -8 | V | |
Qg | 栅极电荷总量 (-4.5V) | 4.9 | nC | |
Qgd | 栅极电荷(栅极到漏极) | 0.6 | nC | |
RDS(on) | 漏源 导通电阻 |
VGS = –1.8V | 35 | mΩ |
VGS = -2.5V | 22 | mΩ | ||
VGS = -4.5V | 16.2 | mΩ | ||
VGS(th) | 电压阈值 | -0.8 | V |
器件 | 数量 | 包装介质 | 封装 | 运输 |
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CSD23203W | 3000 | 7 英寸卷带 | 1.00mm × 1.50mm 晶圆级封装 |
卷带封装 |
CSD23203WT | 250 | 7 英寸卷带 |
TA = 25°C | 值 | 单位 | |
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VDS | 漏源电压 | -8 | V |
VGS | 栅源电压 | -6 | V |
ID | 持续漏极电流(1) | –3 | A |
IDM | 脉冲漏极电流(2) | –54 | A |
PD | 功率耗散 | 0.75 | W |
TJ,
Tstg |
工作结温, 储存温度 |
-55 至 150 | °C |
RDS(on) 与 VGS 对比 |
栅极电荷 |