DATA SHEET
CSD23381F4 12V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET
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1 特性
- 超低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 高漏极工作电流
- 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
- 超薄型封装
- 集成型 ESD 保护二极管
- 额定值 > 4kV HBM
- 额定值 > 2kV CDM
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS