CSD25404Q3 -20V P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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1 特性

超低 Q_g 和 Q_gd
低热阻
低 R_DS(on)
无卤素
符合 RoHS 标准
无铅引脚镀层
小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

2 应用

直流-直流转换器
电池管理
负载开关
电池保护

3 说明

这款 -20V、5.5mΩ NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 旨在最大限度地降低功率转换和负载管理应用中的损耗。该器件采用 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸无引线 (SON) 封装，可提供出色的封装散热性能。

顶视图

米6体育平台手机版_好二三四概要

T_A=25°C		典型值		单位
V_DS	漏源电压	-20		V
Q_g	栅极电荷总量 (-4.5V)	10.9		nC
Q_gd	栅漏栅极电荷	2.2		nC
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS = –1.8V	40	mΩ
		V_GS = -2.5V	10.1	mΩ
		V_GS = -4.5V	5.5	mΩ
V_th	阈值电压	-0.9		V

订购信息⁽¹⁾

器件	数量	包装介质	封装	运输
CSD25404Q3	2500	13 英寸卷带	SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装	卷带式
CSD25404Q3T	250	7 英寸卷带	SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装	卷带式

要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。

绝对最大额定值

T_A = 25°C		值	单位
V_DS	漏源电压	-20	V
V_GS	栅源电压	±12	V
I_D	持续漏极电流，T_C = 25°C	–104	A
	持续漏极电流（受封装限制）	-60
	持续漏极电流⁽¹⁾	–18
I_DM	脉冲漏极电流⁽²⁾	–240	A
P_D	功耗⁽¹⁾	2.8	W
P_D	功耗，T_C = 25°C	96	W
T_J， T_stg	工作结温，储存温度	-55 至 150	°C

R_θJA = 45°C/W，这是在厚度为 0.060" 的环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸² 铜过渡垫片（2 盎司）上测得的典型值。
最大 R_θJC = 1.3，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%

R_DS(on) 与 V_GS 间的关系

栅极电荷

4 修订历史记录

日期	修订版本	注释
2015 年 11 月	*	最初发布。

5 Specifications

5.1 Electrical Characteristics

(T_A = 25°C unless otherwise stated)

PARAMETER		TEST CONDITIONS	MIN	TYP	MAX	UNIT
STATIC CHARACTERISTICS
BV_DSS	Drain-to-source voltage	V_GS = 0 V, I_D = –250 μA	–20			V
I_DSS	Drain-to-source leakage current	V_GS = 0 V, V_DS = –16 V			–1	μA
I_GSS	Gate-to-source leakage current	V_DS = 0 V, V_GS = ±12 V			–100	nA
V_GS(th)	Gate-to-source threshold voltage	V_DS = V_GS, I_D = –250 μA	–0.65	–0.90	–1.15	V
R_DS(on)	Drain-to-source on resistance	V_GS = –1.8 V, I_D = –1 A		40	150	mΩ
		V_GS = –2.5 V, I_D = –10 A		10.1	12.1	mΩ
		V_GS = –4.5 V, I_D = –10 A		5.5	6.5	mΩ
g_fs	Transconductance	V_DS = –10 V, I_D = –10 A		47		S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
C_ISS	Input capacitance	V_GS = 0 V, V_DS = –10 V, ƒ = 1 MHz		1630	2120	pF
C_OSS	Output capacitance			902	1170	pF
C_RSS	Reverse transfer capacitance			52	68	pF
R_G	Series gate resistance			0.8	2.4	Ω
Q_g	Gate charge total (–4.5 V)	V_DS = –10 V, I_D = –10 A		10.8	14.1	nC
Q_gd	Gate charge gate to drain			2.2		nC
Q_gs	Gate charge gate to source			2.8		nC
Q_g(th)	Gate charge at V_th			1.5		nC
Q_OSS	Output charge	V_DS = –10 V, V_GS = 0 V		9.0		nC
t_d(on)	Turn on delay time	V_DS = –10 V, V_GS = –4.5 V, I_D = –10 A , R_G = 5 Ω		13		ns
t_r	Rise time			8		ns
t_d(off)	Turn off delay time			35		ns
t_f	Fall time			13		ns
DIODE CHARACTERISTICS
V_SD	Diode forward voltage	I_S = –10 A, V_GS = 0 V		–0.8	–1	V
Q_rr	Reverse recovery charge	V_DS = –10 V, I_F = –10 A, di/dt = 200 A/μs		20.5		nC
t_rr	Reverse recovery time	V_DS = –10 V, I_F = –10 A, di/dt = 200 A/μs		26		ns

5.2 Thermal Information

(T_A = 25°C unless otherwise stated)

THERMAL METRIC		MIN	TYP	MAX	UNIT
R_θJC	Junction-to-case thermal resistance⁽¹⁾			1.3	°C/W
R_θJA	Junction-to-ambient thermal resistance⁽¹⁾⁽²⁾			55	°C/W

(1) R_θJC is determined with the device mounted on a 1 inch² (6.45 cm²), 2 oz. (0.071 mm thick) Cu pad on a 1.5 inch × 1.5 inch (3.81 cm × 3.81 cm), 0.06 inch (1.52 mm) thick FR4 PCB. R_θJC is specified by design, whereas R_θJA is determined by the user’s board design.

(2) Device mounted on FR4 material with 1 inch² (6.45 cm²), 2 oz. (0.071 mm thick) Cu.