ZHCSEY6E
March 2013 – January 2023
DRV2667
PRODUCTION DATA
1
特性
2
应用
3
说明
4
Revision History
5
Pin Configuration and Functions
6
Specifications
6.1
Absolute Maximum Ratings
6.2
ESD Ratings
6.3
Recommended Operating Conditions
6.4
Thermal Information
6.5
Electrical Characteristics
6.6
Timing Requirements
6.7
Switching Characteristics
6.8
Typical Characteristics
7
Detailed Description
7.1
Overview
7.2
Functional Block Diagram
7.3
Feature Description
7.3.1
Support for Haptic Piezo Actuators
7.3.2
Flexible Front End Interface
7.3.3
Ramp Down Behavior
7.3.4
Low Latency Startup
7.3.5
Low Power Standby Mode
7.3.6
Device Reset
7.3.7
Amplifier Gain
7.3.8
Adjustable Boost Voltage
7.3.9
Adjustable Current Limit
7.3.10
Internal Charge Pump
7.3.11
Device Protection
7.3.11.1
Thermal Protection
7.3.11.2
Overcurrent Protection
7.3.11.3
Brownout Protection
7.4
Device Functional Modes
7.4.1
FIFO Mode
7.4.1.1
Waveform Timeout
7.4.2
Direct Playback from RAM Mode
7.4.3
Waveform Synthesis Playback Mode
7.4.4
Waveform Sequencer
7.4.5
Analog Playback Mode
7.4.6
Low Voltage Operation Mode
7.5
Programming
7.5.1
Programming the Boost Voltage
7.5.2
Programming the Boost Current Limit
7.5.3
Programming the RAM
7.5.3.1
Accessing the RAM
7.5.3.2
RAM Format
7.5.3.2.1
Programming the Waveform Sequencer
7.5.4
I2C Interface
7.5.4.1
General I2C Operation
7.5.4.2
Single-Byte and Multiple-Byte Transfers
7.5.4.3
Single-Byte Write
7.5.4.4
Multiple-Byte Write and Incremental Multiple-Byte Write
7.5.4.5
Single-Byte Read
7.5.4.6
Multiple-Byte Read
7.6
Register Map
7.6.1
Address: 0x00
7.6.2
Address: 0x01
7.6.3
Address: 0x02
7.6.4
Address: 0x03
7.6.5
Address: 0x04
7.6.6
Address: 0x05
7.6.7
Address: 0x06
7.6.8
Address: 0x07
7.6.9
Address: 0x08
7.6.10
Address: 0x09
7.6.11
Address: 0x0A
7.6.12
Address: 0x0B
7.6.13
Address: 0xFF
8
Application and Implementation
8.1
Application Information
8.2
Typical Application
8.2.1
Design Requirements
8.2.2
Detailed Design Procedure
8.2.2.1
Inductor Selection
8.2.2.2
Piezo Actuator Selection
8.2.2.3
Boost Capacitor Selection
8.2.2.4
Bulk Capacitor Selection
8.2.3
Application Curves
8.3
Initialization Setup
8.3.1
Initialization Procedure
8.3.2
Typical Usage Examples
8.3.2.1
Single Click or Alert Example
8.3.2.2
Library Storage Example
9
Power Supply Recommendations
10
Layout
10.1
Layout Guidelines
10.2
Layout Example
11
Device and Documentation Support
11.1
Receiving Notification of Documentation Updates
11.2
Community Resources
11.3
Trademarks
12
Mechanical, Packaging, and Orderable Information
封装选项
机械数据 (封装 | 引脚)
RGP|20
MPQF126G
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
RGP|20
QFND079Y
订购信息
zhcsey6e_oa
zhcsey6e_pm
1
特性
集成数字前端
最高可达 400kHz 的 I
2
C 总线控制
高级波形合成器
2kB 内部波形存储器
100 字节内部先入先出 (FIFO) 接口
兼容 Immersion TS5000
可选模拟输入
高电压压电式触觉驱动器
在 200V
PP
和 300Hz 上驱动高达 100nF 的负载
在 150V
PP
和 300Hz 上驱动高达 150nF 的负载
在 100V
PP
和 300Hz 上驱动高达 330nF 的负载
在 50V
PP
和 300Hz 上驱动高达 680nF 的负载
差分输出
105V 集成升压转换器
可调升压电压
可调节升压限流
可编程升压限流
集成功率场效应晶体管 (FET) 和二极管
无需变压器
2ms 快速启动时间
3.3V 至 5.5V 宽电源电压范围
1.8V 兼容,V
DD
容限数字引脚
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