ZHCSGW2G April   2017  – July 2024 DRV5032

PRODUCTION DATA  

1.   1
2. 1 特性
3. 2 应用
4. 3 说明
5. 4 器件比较
6. 5 引脚配置和功能
7. 6 规格
   1. 6.1 绝对最大额定值
   2. 6.2 ESD 等级
   3. 6.3 建议运行条件
   4. 6.4 热性能信息
   5. 6.5 电气特性
   6. 6.6 磁特性
   7. 6.7 典型特性
8. 7 详细说明
   1. 7.1 概述
   2. 7.2 功能方框图
   3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 磁通量方向
      2. 7.3.2 器件版本比较
         1. 7.3.2.1 磁性阈值
         2. 7.3.2.2 磁响应
         3. 7.3.2.3 输出类型
         4. 7.3.2.4 采样率
      3. 7.3.3 霍尔元件位置
   4. 7.4 器件功能模式
9. 8 应用和实现
   1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 输出类型权衡
   2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 通用磁感应
         1. 8.2.1.1 设计要求
         2. 8.2.1.2 详细设计过程
         3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 三位置开关
         1. 8.2.2.1 设计要求
         2. 8.2.2.2 详细设计过程
         3. 8.2.2.3 应用曲线
   3. 8.3 最佳设计实践
   4. 8.4 电源相关建议
   5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
       1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
11. 10修订历史记录
12. 11机械、封装和可订购信息

DRV5032 超低功耗数字开关霍尔效应传感器

本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。

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