ZHCSCQ5C August 2014 – September 2017 TPD1E05U06-Q1 , TPD4E05U06-Q1
PRODUCTION DATA.
1 特性
- 符合 AEC-Q101
- 人体放电模型 (HBM) 分类等级 H3B
- 充电器件模型 (CDM) 分类等级 C5
- 器件温度范围：–40°C 至 +125°C
- IEC 61000-4-2 4 级 ESD 保护
（请参阅 ESD Ratings—IEC Specification 表）- ±12kV 接触放电
- ±15kV 气隙放电
- IEC 61000-4-4 瞬态放电 (EFT) 保护
- 80A (5/50ns)
- IEC 61000-4-5 浪涌保护
- 2.5A (8/20µs)
- I/O 电容 0.42pF 至 0.5pF（典型值）
- 直流击穿电压 6.4V（最小值）
- 超低漏电流 10nA（最大值）
- 低 ESD 钳位电压（在 5A TLP 下为 14V）
- 简易直通路由封装
2 应用
- 终端设备
- 音响主机
- 后座娱乐系统
- 远程信息处理
- USB 集线器
- 导航模块
- 媒体接口
- 接口
- USB 2.0
- USB 3.0
- HDMI 1.4/2.0
- 低压差分信令 (LVDS)
- DisplayPort
- SIM 卡
3 说明
TPDxE05U06-Q1 是一系列具有超低电容的单向瞬态电压抑制器 (TVS) 静电放电 (ESD) 保护二极管。这些器件旨在耗散那些高于 IEC61000-4-2 4 级国际标准中规定的最高水平的 ESD 冲击。超低负载电容特性使得这些器件非常适合保护任何高达 6Gbps 的高速 信号 应用。
这些器件还具有未经过汽车认证的型号：TPDxE05U06。
器件信息(1)
| 器件型号 | 封装 | 封装尺寸（标称值） |
|---|---|---|
| TPD4E05U06-Q1 | USON (10) | 2.50mm x 1.00mm |
| TPD1E05U06-Q1 | X1SON (2) | 0.60mm x 1.00mm |
- 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。
TPD4E05U06-Q1 简化原理图
TPD4E05U06-Q1 框图
