ZHCSCQ2 August 2014 CSD17577Q3A
PRODUCTION DATA.
1 特性
- 低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 封装
2 应用范围
- 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
- 针对控制和同步 FET 应用进行了优化
3 说明
这款 30V，4.0mΩ，SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中以最大程度降低电阻。
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米6体育平台手机版_好二三四概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 30 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 12 | nC | |
| Qgd | 栅漏栅极电荷 | 2.5 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V | 5.3 | mΩ |
| VGS = 10V | 4 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阀值电压 | 1.4 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 数量 | 介质 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD17577Q3A | 2500 | 13 英寸卷带 | SON 3.3mm x 3.3mm 塑料封装 | 卷带封装 |
| CSD17577Q3AT | 250 | 7 英寸卷带 |
- 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。
最大绝对额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 30 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| ID | 持续漏极电流（受封装限制） | 35 | A |
| 持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 | 83 | ||
| 持续漏极电流 (1) | 19 | ||
| IDM | 脉冲漏极电流 (2) | 239 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 2.8 | W |
| 功率耗散，TC = 25°C | 53 | ||
| TJ， Tstg |
运行结温和 储存温度范围 |
-55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单一脉冲 ID = 28A，L = 0.1mH，RG = 25Ω |
39 | mJ |
- RθJA = 50°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值
。 - 最大 RθJC = 3.0°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
RDS(on) 与 VGS 间的关系 |
栅极电荷 |