ZHCSDG0 March 2015 CSD17578Q5A
PRODUCTION DATA.
这款 30V,5.9mΩ,SON 5mm x 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
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VDS | 漏源电压 | 30 | V | |
Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 7.9 | nC | |
Qgd | 栅极电荷(栅极到漏极) | 2.0 | nC | |
RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V | 7.9 | mΩ |
VGS = 10V | 5.9 | mΩ | ||
VGS(th) | 阈值电压 | 1.5 | V |
器件 | 介质 | 数量 | 封装 | 出货 |
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CSD17578Q5A | 13 英寸卷带 | 2500 | SON 5mm x 6mm 塑料封装 |
卷带封装 |
CSD17578Q5AT | 7 英寸卷带 | 250 |
TA = 25°C | 值 | 单位 | |
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VDS | 漏源电压 | 30 | V |
VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
ID | 持续漏极电流(受封装限制) | 25 | A |
持续漏极电流(受芯片限制),TC = 25°C 时测得 | 59 | ||
持续漏极电流(1) | 16 | ||
IDM | 脉冲漏极电流(2) | 132 | A |
PD | 功率耗散(1) | 3.1 | W |
功率耗散,TC = 25°C | 42 | ||
TJ, Tstg |
运行结温和 储存温度范围 |
-55 至 150 | °C |
EAS | 雪崩能量,单一脉冲 ID = 22A,L = 0.1mH |
23 | mJ |
RDS(on) 与 VGS 间的关系 |
栅极电荷 |