ZHCSFX2A November   2016  – January 2017 CSD18513Q5A

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 接收文档更新通知
    2. 6.2 社区资源
    3. 6.3 商标
    4. 6.4 静电放电警告
    5. 6.5 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 Q5A 封装尺寸
    2. 7.2 建议印刷电路板 (PCB) 布局
    3. 7.3 建议模板开口
    4. 7.4 Q5A 卷带信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

特性

  • 低 RDS(ON)
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装

应用范围

  • 直流 - 直流转换
  • 次级侧同步整流
  • 电池电机控制

说明

这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 40V、2.8mΩ、 NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

俯视图

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米6体育平台手机版_好二三四概要

TA=25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 40 V
Qg 栅极电荷总量 (10V) 45 nC
Qgd 栅极电荷(栅极到漏极) 8.8 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 4.5V 4.1
VGS = 10V 2.8
VGS(th) 阈值电压 1.8 V

器件信息(1)

器件 包装介质 数量 封装 运输
CSD18513Q5A 13 英寸卷带 2500 SON
5.00mm × 6.00mm
塑料封装
卷带封装
CSD18513Q5AT 7 英寸卷带 250
  1. 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 单位
VDS 漏源电压 40 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID 持续漏极电流(受封装限制) 100 A
持续漏极电流(受芯片限制),
TC = 25°C 时测得
124
持续漏极电流(1) 22
IDM 脉冲漏极电流(2) 400 A
PD 功率耗散(1) 3.1 W
功率耗散,TC = 25°C 96
TJ
Tstg
工作结温,
储存温度
-55 至 150 °C
EAS 雪崩能量,单一脉冲
ID = 46A,L = 0.1mH,RG = 25Ω
106 mJ
  1. RθJA = 40°C/W,这是在一块厚度为 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司铜焊盘上测得的典型值。
  2. 最大 RθJC = 1.3°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%。

RDS(on) 与 VGS 对比

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栅极电荷

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