ZHCSA81B September 2012 – January 2015 CSD18533Q5A
PRODUCTION DATA.
这款 4.7mΩ、60V、SON 5mm × 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
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VDS | 漏源电压 | 60 | V | |
Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 29 | nC | |
Qgd | 栅极电荷(栅极到漏极) | 5.4 | nC | |
RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V | 6.5 | mΩ |
VGS = 10V | 4.7 | mΩ | ||
VGS(th) | 阈值电压 | 1.9 | V |
器件 | 数量 | 介质 | 封装 | 出货 |
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CSD18533Q5A | 2500 | 13 英寸卷带 | SON 5mm × 6mm 塑料封装 | 卷带封装 |
CSD18533Q5AT | 250 | 7 英寸卷带 |
RDS(on) 与 VGS 间的关系 |
栅极电荷 |