ZHCSCG4 May 2014 CSD19534Q5A
PRODUCTION DATA.
1 特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
2 应用范围
- 初级侧电信应用
- 电机控制
3 说明
这款 100V，12.6mΩ，SON 5mm x 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。
顶视图
米6体育平台手机版_好二三四概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 100 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 17 | nC | |
| Qgd | 栅漏栅极电荷 | 3.2 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 6V | 14.1 | mΩ |
| VGS = 10V | 12.6 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阀值电压 | 2.8 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 介质 | 数量 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD19534Q5A | 13 英寸卷带 | 2500 | SON 5mm x 6mm 塑料封装 |
卷带封装 |
| CSD19534Q5AT | 7 英寸卷带 | 250 |
- 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。
最大绝对额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 100 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| ID | 持续漏极电流（受封装限制） | 50 | A |
| 持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 | 44 | ||
| 持续漏极电流(1) | 10 | ||
| IDM | 脉冲漏极电流(2) | 137 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 3.2 | W |
| 功率耗散，TC = 25°C | 63 | ||
| TJ， Tstg |
运行结温和 储存温度范围 |
-55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单脉冲 ID = 33A，L = 0.1mH，RG = 25Ω |
55 | mJ |
- RθJA = 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。
- 最大 RθJC = 2.0°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
RDS(on) 与 VGS 间的关系 |
栅极电荷 |