ZHCSF23A May   2016  – March 2017 CSD19538Q3A

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 接收文档更新通知
    2. 6.2 社区资源
    3. 6.3 商标
    4. 6.4 静电放电警告
    5. 6.5 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 Q3A 封装尺寸
    2. 7.2 Q3A 建议的 PCB 布局
    3. 7.3 Q3A 建议的模板布局
    4. 7.4 Q3A 卷带信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

应用范围

  • 以太网供电 (PoE)
  • 电源设备 (PSE)
  • 电机控制

说明

这款 100V、49mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 旨在以最大限度降低导通损耗并减小以太网供电 (PoE) 应用中的电路板 尺寸。

俯视图
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米6体育平台手机版_好二三四概要

TA=25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 100 V
Qg 栅极电荷总量 (10V) 4.3 nC
Qgd 栅极电荷 栅极到漏极 0.8 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 6V 58
VGS = 10V 49
VGS(th) 阈值电压 3.2 V

器件信息(1)

器件 包装介质 数量 封装 运输
CSD19538Q3A 13 英寸卷带 3000 小外形尺寸无引线 (SON)
3.30mm × 3.30mm
塑料封装
卷带封装
CSD19538Q3AT 7 英寸卷带 250
  1. 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。

绝对最大额定值

TA=25°C 单位
VDS 漏源电压 100 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID 持续漏极电流(受封装限制) 15 A
持续漏极电流(受芯片限制),TC = 25°C 时测得 14
持续漏极电流(1) 4.9
IDM 脉冲漏极电流(2) 37 A
PD 功率耗散(1) 2.8 W
功率耗散,TC = 25°C 23
TJ
Tstg
工作结温,
储存温度
-55 至 150 °C
EAS 雪崩能量,单一脉冲
ID = 12.7A,L = 0.1mH,RG = 25Ω
8.1 mJ
  1. RθJA = 45°C/W,这是一块厚度为 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司铜焊盘上测得的典型值。
  2. 最大 RθJC = 5.5°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%。

RDS(on) 与 VGS 对比

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栅极电荷

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