ZHCSGA1 May 2017 CSD22206W
PRODUCTION DATA.
这款 –8V、4.7mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起,使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限 应用。
TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
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VDS | 漏源电压 | -8 | V | |
Qg | 栅极电荷总量 (-4.5V) | 11.2 | nC | |
Qgd | 栅极电荷(栅极到漏极) | 1.8 | nC | |
RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = -2.5V | 6.8 | mΩ |
VGS = -4.5V | 4.7 | |||
VGS(th) | 阈值电压 | -0.7 | V |
器件 | 数量 | 包装介质 | 封装 | 运输 |
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CSD22206W | 3000 | 7 英寸卷带 | 1.50mm × 1.50mm 晶圆级球状引脚栅格阵列 (BGA) 封装 |
卷带封装 |
CSD22206WT | 250 |
TA = 25°C | 值 | 单位 | |
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VDS | 漏源电压 | -8 | V |
VGS | 栅源电压 | -6 | V |
ID | 持续漏极电流(1) | -5 | A |
脉冲漏极电流(2) | –108 | A | |
PD | 功率耗散 | 1.7 | W |
TJ, Tstg |
工作结温, 储存温度 |
-55 至 150 | °C |
RDS(on) 与 VGS 对比 |
栅极电荷 |